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徐科：氮化鎵單晶材料
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徐科：氮化鎵單晶材料
《氮化鎵單晶材料的 HVPE 法與液相法生長(zhǎng)研究》徐科研究員中國(guó)科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
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limit2022-01-11 09:59
蔣科：寬禁帶氮化物半
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蔣科：寬禁帶氮化物半
《寬禁帶氮化物半導(dǎo)體紫外探測(cè)器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國(guó)科學(xué)院長(zhǎng)春光學(xué)精密機(jī)械與物理研究所
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limit2022-01-10 11:08
朱海：寬禁帶半導(dǎo)體微
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朱海：寬禁帶半導(dǎo)體微
《寬禁帶半導(dǎo)體微腔polariton玻色-愛因斯坦凝聚特性研究》作者：朱海，陳智陽(yáng)，鄭湖穎，湯梓熒，王亞琪單位：中山大學(xué)
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limit2022-01-10 10:21
陸文強(qiáng)：一維ZnGa2O4
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陸文強(qiáng)：一維ZnGa2O4
《一維ZnGa2O4納米線網(wǎng)薄膜材料橫向制備及其光電響應(yīng)研究》作者：吳雨桐，張昆，馮雙龍，陸文強(qiáng)單位：中國(guó)科學(xué)院重慶綠色智能技術(shù)研究院
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limit2022-01-07 15:02
張文輝：升華法生長(zhǎng)β
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張文輝：升華法生長(zhǎng)β
《升華法生長(zhǎng)相Ga2O3厚膜的研究》作者：張文輝，張赫之，梁紅偉單位：大連理工大學(xué)微電子學(xué)院
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limit2022-01-07 15:00
陳凱：基于MPCVD法異
2180
陳凱：基于MPCVD法異
《基于MPCVD法異質(zhì)外延生長(zhǎng)金剛石膜的研究》作者：陳凱，胡文曉，葉煜聰，劉斌，陶濤，張榮單位：江蘇省光電信息功能材料重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院，廈門大學(xué)
21800
limit2022-01-07 14:59
穆文祥：氧化鎵單晶生
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穆文祥：氧化鎵單晶生
《氧化鎵單晶生長(zhǎng)與性能研究》作者：賈志泰，穆文祥，陶緒堂單位：山東大學(xué)晶體材料國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
7800
limit2022-01-07 14:58
湯瀟：全溶液法沉積柔
1830
湯瀟：全溶液法沉積柔
《全溶液法沉積柔性摻雜可調(diào)控氧化鎵薄膜光電器件的研究》作者：湯瀟，李曉航單位：Advanced Semiconductor Lab, KAUST, Saudi Arabia
18300
limit2022-01-07 14:57
張逸韻：高溫氣氛退火
830
張逸韻：高溫氣氛退火
《高溫氣氛退火對(duì)體材料單晶氧化鎵晶體質(zhì)量的研究》作者：武松浩，張逸韻單位：北京理工大學(xué)，中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
8300
limit2022-01-07 14:21
唐寧：氮化鎵量子阱中
1740
唐寧：氮化鎵量子阱中
《氮化鎵量子阱中電子自旋弛豫性質(zhì)研究》作者：張仕雄，唐寧，劉星辰，張曉玥，付雷，張?jiān)品?，樊騰，孫真昊，葛惟昆，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
17400
limit2022-01-07 14:16
徐童齡：基于NiO/β-
660
徐童齡：基于NiO/β-
《基于NiO/- Ga2O3異質(zhì)pn結(jié)的低漏電JBS二極管研究》作者：徐童齡，羅浩勛，鄧郁馨，陳梓敏，裴艷麗，盧星，王鋼單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院光電材料與技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
6600
limit2022-01-07 13:50
張亞民：基于脈沖信號(hào)
820
張亞民：基于脈沖信號(hào)
《基于脈沖信號(hào)導(dǎo)通延遲的SiC MOSFET結(jié)溫檢測(cè)方法研究》作者：姜山，張亞民，馮士維，石幫兵單位：北京工業(yè)大學(xué)
8200
limit2022-01-07 13:49
劉紅輝：光照下AlGaN/
1700
劉紅輝：光照下AlGaN/
《光照下AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)溝道中載流子的輸運(yùn)過程研究》柳月波，劉紅輝，邢潔瑩，姚婉青，戴雅瓊，楊隆坤，王風(fēng)格，任遠(yuǎn)，沈俊宇，張敏杰，作者：吳志盛，劉揚(yáng)，張佰君單位：中山大學(xué)電子與信息工程學(xué)院
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limit2022-01-07 13:47
陳鵬：GaN基肖特基功
3130
陳鵬：GaN基肖特基功
《GaN基肖特基功率器件研究新進(jìn)展》作者：陳鵬單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
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limit2022-01-07 13:31
吳帆正樹：碳化硅溝槽
1250
吳帆正樹：碳化硅溝槽
《碳化硅溝槽刻蝕技術(shù)研究進(jìn)展》作者：吳帆正樹，張清純，馬宏平，張潔，侯欣藍(lán)，張園覽單位：復(fù)旦大學(xué)工程與應(yīng)用技術(shù)研究院超越照明研究所
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limit2022-01-07 13:30
葉建東：氧化鎵基雙極
3490
葉建東：氧化鎵基雙極
《氧化鎵基雙極型異質(zhì)結(jié)功率器件研究》作者：葉建東，鞏賀賀，周峰，郁鑫鑫，徐尉宗，任芳芳，顧書林，陸海，張榮，鄭有炓單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
34900
limit2022-01-07 11:41
李忠輝：新型Al(Ga)N/
2130
李忠輝：新型Al(Ga)N/
《新型Al(Ga)N/GaN異質(zhì)結(jié)外延材料研究》作者：李忠輝，彭大青，張東國(guó)，李傳皓，楊乾坤，羅偉科，董遜，李亮單位：南京電子器件研究所，微波毫米波單片集成電路國(guó)家級(jí)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室
21300
limit2022-01-07 11:15
李天義：SiC紫外單光
1620
李天義：SiC紫外單光
《SiC紫外單光子探測(cè)器及其成像陣列的器件物理與性能表征研究》作者：李天義，蘇琳琳，周東，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
16200
limit2022-01-07 10:26
楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
3440
楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
《碳化硅(4H-SiC)紫外光電探測(cè)器研究現(xiàn)狀》作者：楊偉鋒，吳正云單位：廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院（國(guó)家示范性微電子學(xué)院）微電子與集成電路系，廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院物理系
34400
limit2022-01-07 10:23
何云斌：ZnO多元合金
1750
何云斌：ZnO多元合金
《ZnO多元合金薄膜外延生長(zhǎng)、帶隙調(diào)控及其紫外光電探測(cè)器研究》作者：何云斌，黎明鍇，盧寅梅，張騰，陳劍，劉洋，郭紫曼，汪洋單位：湖北大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院
17500
limit2022-01-07 10:19

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