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美國(guó)倫斯勒理工學(xué)院的周達(dá)成教授分享了《碳化硅功率器件的性能、可靠性和穩(wěn)健性》；

矩陣轉(zhuǎn)換器被認(rèn)為是一種最優(yōu)異的交流-交流功率轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，因?yàn)槠渲饕蕾?lài)于雙向開(kāi)關(guān)而幾乎不需要其他被動(dòng)組件。它不僅提升了能量轉(zhuǎn)換效率，而且可以突破傳統(tǒng)的通用逆變器所存在的開(kāi)關(guān)切換速度，工作溫度以及電壓等級(jí)的限制。在此基礎(chǔ)下，新型碳化硅（SiC）組件以及先進(jìn)功率器件封裝的應(yīng)用將帶來(lái)新一代矩陣轉(zhuǎn)換器的重大發(fā)展與變革。香港應(yīng)用科技研究院功率器件組總監(jiān)袁述分享了《新一代碳化硅矩陣變換器》主題報(bào)告，報(bào)告中回顧矩陣轉(zhuǎn)

【極智報(bào)告】臺(tái)灣長(zhǎng)庚大學(xué)邱顯欽教授：適用于第五代移動(dòng)通訊六吋與八吋硅基氮化鎵微波器件解決方案

【極智課堂】晶能光電王瓊： 硅襯底UV LED技術(shù)與應(yīng)用

河北工業(yè)大學(xué)教授張紫輝帶來(lái)了題為基于氮化物半導(dǎo)體和碳化硅光電子器件的仿真與分析的精彩報(bào)告，介紹基于氮化物半導(dǎo)體和SiC材料光電子器件仿真與分析的最新結(jié)果。 研究通過(guò)極化調(diào)制、摻雜調(diào)控等手段適當(dāng)調(diào)節(jié)載流子的能量以改善AlGaN基深紫外發(fā)光二極管(DUV LED) 載流子的注入效率，通過(guò)局部調(diào)控?fù)诫s類(lèi)型改善了DUV LED的電流擴(kuò)展，并揭示了器件機(jī)理；此外，針對(duì)GaN基核/殼LED以及Micro-LED的器件物理進(jìn)行了詳細(xì)研究，系統(tǒng)探究了各種

報(bào)告嘉賓：蘇州晶湛半導(dǎo)體有限公司市場(chǎng)總監(jiān)朱丹丹博士 報(bào)告主題：《針對(duì)大功率應(yīng)用的硅基氮化鎵技術(shù)》

英諾賽科科技有限公司董事長(zhǎng)駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國(guó)宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩

報(bào)告嘉賓：北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司副總經(jīng)理兼技術(shù)總監(jiān)劉春俊博士 報(bào)告主題：《大尺寸碳化硅單晶生長(zhǎng)研究及產(chǎn)業(yè)進(jìn)展》

碳化硅生長(zhǎng)和襯底建模以及基于MOVPE技術(shù)的氮化鎵生長(zhǎng)模擬 Modeling of SiC crystal growth and epitaxy and simulation of GaN metal Organic Vapor DepositionAndrey SMIRNOV俄羅斯STR Group, Inc.資深研發(fā)工程師 Andrey SMIRNOVSenior Research Engineer of STR Group, Inc., Russia

報(bào)告簡(jiǎn)介單晶4H型碳化硅臺(tái)階生長(zhǎng)機(jī)理 The step growth mechanism for 4H-SiC with Improved Single Polytypes林偉廈門(mén)大學(xué)副教授 LINWeiAssociate Professor of Xiamen University

美國(guó)NAURA-Akrion, Inc.首席技術(shù)官I(mǎi)smail I. KASHKOUSH分享了基于碳化硅器件制造的先進(jìn)化學(xué)濃度控制技術(shù)的研究成果。在傳統(tǒng)的MEMS制備中，相對(duì)惰性化合物（比如Si3N4）通常用于刻蝕停止或者制備襯底中的掩膜。然而這種材料需要了解刻蝕對(duì)于襯底的選擇性。對(duì)于過(guò)去的20年，研究發(fā)現(xiàn)碳化硅（SiC）因?yàn)槠浠瘜W(xué)性質(zhì)比較惰性已經(jīng)可以作為傳統(tǒng)批量微加工刻蝕停止的替代物。包括燃料霧化器，壓力傳感器和微型模具等MEMS應(yīng)用中可以使用典型

英諾賽科科技有限公司董事長(zhǎng)駱薇薇分享了硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)化發(fā)展的機(jī)遇與挑戰(zhàn)。駱薇薇在美國(guó)宇航局（NASA）工作了15年，并創(chuàng)辦了兩

英諾賽科研發(fā)中心副總裁David C. ZHOU分享了《200mm 40V-650V E型硅基氮化鎵材料功率器件技術(shù)：從器件、封裝、到系統(tǒng)》研究報(bào)告

2018年10月23日下午，第十五屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA 2018）暨2018國(guó)際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS 2018）開(kāi)幕大會(huì)在深圳會(huì)展中心隆重召開(kāi)。大會(huì)以創(chuàng)芯聚智 共享生態(tài)為主題，吸引了來(lái)自海內(nèi)外半導(dǎo)體照明，第三代半導(dǎo)體及相關(guān)領(lǐng)域的專(zhuān)家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖、行業(yè)機(jī)構(gòu)領(lǐng)導(dǎo)以及相關(guān)政府官員的積極參與，共同論道產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 本屆論壇由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、深圳市

極智報(bào)告|香港應(yīng)用科技研究院有限公司高級(jí)經(jīng)理劉學(xué)超：碳化硅MOSFET在新能源汽車(chē)中的應(yīng)用報(bào)告。更多專(zhuān)業(yè)報(bào)告，點(diǎn)擊頁(yè)面頂端下載極智頭條APP.

河北工業(yè)大學(xué)教授徐庶帶來(lái)則介紹了量子點(diǎn)用于固態(tài)照明的量子點(diǎn)硅脂納米復(fù)合材料。更多精彩報(bào)告，請(qǐng)關(guān)注下載極智頭條APP！

今天極智課堂邀請(qǐng)到中國(guó)電子科技集團(tuán)第五十五研究所李士顏博士，分享《從特斯拉用碳化硅代替IGBT說(shuō)起——碳化硅功率器件之新能源汽車(chē)應(yīng)用及展望》主題報(bào)告

德國(guó) ALLOS semiconductors GmbH 總裁Alexander LOESING分享了“用于微LED的具有精確應(yīng)變控制和優(yōu)異發(fā)射均勻性的200mm硅基鎵氮LED外延片”報(bào)告。他表示，精準(zhǔn)的應(yīng)變控制對(duì)硅基鎵氮的晶圓，能夠通過(guò)結(jié)合形成中間層來(lái)獲得，能夠讓我們有精確的應(yīng)變控制，之前產(chǎn)業(yè)是沒(méi)有想象過(guò)的，能夠讓我們實(shí)現(xiàn)剛剛說(shuō)的五大特點(diǎn)。問(wèn)題是什么？ 副作用是什么？我們看沒(méi)有幅面的作用，對(duì)于我們生產(chǎn)來(lái)說(shuō)是完全可以實(shí)現(xiàn)的。

所有的技術(shù)都有一個(gè)發(fā)展過(guò)程，尤其對(duì)于電網(wǎng)來(lái)說(shuō)，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。國(guó)家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網(wǎng)當(dāng)中的應(yīng)用。其中對(duì)電網(wǎng)整體對(duì)材料的要求，材料部分的需求和裝備的國(guó)內(nèi)國(guó)際進(jìn)展進(jìn)行了細(xì)致介紹。他表示，預(yù)期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應(yīng)當(dāng)是可以達(dá)到應(yīng)用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應(yīng)該可以達(dá)到應(yīng)用水平，這樣來(lái)說(shuō)對(duì)電網(wǎng)的預(yù)期是整