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  • 復(fù)旦大學(xué)張園覽：基于
    基于P區(qū)反序摻雜策略的高效碳化硅結(jié)勢壘肖特基二極管的研究High-Performance 1200 V/ 20 A 4H-SiC JBS Diodes with Retrograde P-Implants Strategy張園覽復(fù)旦大學(xué)Yuan-Lan ZHANGFudan University
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    limit2022-05-01 20:24
  • 啟迪半導(dǎo)體研發(fā)總監(jiān)鈕
    第三代半導(dǎo)體碳化硅器件產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)及發(fā)展進展The key technology and development progress of the Wide Band-gap semiconductor silicon carbide device industrialization鈕應(yīng)喜蕪湖啟迪半導(dǎo)體有限公司研發(fā)總監(jiān)NIU YingxiRD Director of Wuhu Advanced Semiconductor Manufacturing Co.,ltd
    74300
    limit2022-05-01 17:19
  • 美國俄亥俄州立大學(xué)教
    碳化硅芯片會在 2025-2030 年被電動汽車廣泛采用的可能性探討The Question: Will SiC chips be widely adopted by Electric Vehicles in 2025-2030?Anant AGARWAL美國俄亥俄州立大學(xué)教授、IEEE會士Anant AGARWALProfessorofThe Ohio State University, IEEE Fellow
    67200
    limit2022-05-01 09:55
  • Victor VELIADIS：碳
    碳化硅大規(guī)模商業(yè)化：現(xiàn)狀與障礙SiC Mass Commercialization: Present Status and BarriersVictor VELIADISChief Officer and CTO ofPower America, Professor of North Carolina State UniversityVictor VELIADIS美國電力首席執(zhí)行官兼首席技術(shù)官、北卡羅萊納州立大學(xué)教授
    55200
    limit2022-05-01 09:46
  • 徐現(xiàn)剛：碳化硅單晶襯
    《碳化硅單晶襯底的研究進展及發(fā)展趨勢》徐現(xiàn)剛 教授 山東大學(xué)
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    limit2022-01-11 17:24
  • Jiaying Shen: Band o
    Band offsets and solar-blind photoresponse of -Ga2O3/4H-SiC heterojunctionAuthor: Jiaying Shen, Mingfeng Gan, Qingyi Zhang, Yangyong Tao, Zhenping Wu, Weihua TangInstitute: State Key Laboratory of Information Photonics and Optical CommunicationsSchool of Science, Beijing University of Posts and Telecommunications
    16300
    limit2022-01-07 15:01
  • 吳帆正樹：碳化硅溝槽
    《碳化硅溝槽刻蝕技術(shù)研究進展》作者：吳帆正樹，張清純，馬宏平，張潔，侯欣藍(lán)，張園覽單位：復(fù)旦大學(xué)工程與應(yīng)用技術(shù)研究院超越照明研究所
    12400
    limit2022-01-07 13:30
  • 李天義：SiC紫外單光
    《SiC紫外單光子探測器及其成像陣列的器件物理與性能表征研究》作者：李天義，蘇琳琳，周東，徐尉宗，任芳芳，陳敦軍，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    16200
    limit2022-01-07 10:26
  • 劉興華：基于牛眼結(jié)構(gòu)
    《基于牛眼結(jié)構(gòu)微腔的碳化硅單光子發(fā)射》作者：劉興華，劉澤森，任芳芳，徐尉宗，周東，葉建東，張榮，鄭有炓，陸海單位：南京大學(xué)深圳研究院，南京大學(xué)電子科學(xué)與工程學(xué)院
    11200
    limit2022-01-07 10:24
  • 楊偉鋒：碳化硅(4H-Si
    《碳化硅(4H-SiC)紫外光電探測器研究現(xiàn)狀》作者：楊偉鋒，吳正云單位：廈門大學(xué)電子科學(xué)與技術(shù)學(xué)院（國家示范性微電子學(xué)院）微電子與集成電路系，廈門大學(xué)物理科學(xué)與技術(shù)學(xué)院物理系
    34400
    limit2022-01-07 10:23
  • 楊敏：低硅三甲基鋁產(chǎn)
    《低硅三甲基鋁產(chǎn)品的開發(fā)》作者：邢懷勇，朱熠，吉敏坤，楊敏單位：江蘇南大光電材料股份有限公司
    31800
    limit2022-01-06 10:59
  • 王蓉：半導(dǎo)體碳化硅材
    《半導(dǎo)體碳化硅材料中位錯的基本性質(zhì)研究》作者王蓉，李佳君，羅昊，楊德仁，皮孝東單位：浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心，浙江大學(xué)硅材料國家重點實驗室和材料科學(xué)與工程學(xué)院
    11200
    limit2022-01-06 10:21
  • 皮孝東：半導(dǎo)體碳化硅
    《半導(dǎo)體碳化硅晶圓生長和單晶加工》作者：皮孝東單位：浙江大學(xué)硅材料國家重點實驗室
    15000
    limit2022-01-05 17:02
  • 馬騁：硅基氮化鎵外延
    《硅基氮化鎵外延材料射頻損耗產(chǎn)生機理及其抑制方法》作者：馬騁，楊學(xué)林，劉丹爍，蔡子?xùn)|，陳正昊，沈波單位：北京大學(xué)物理學(xué)院人工微結(jié)構(gòu)與介觀物理國家重點實驗室
    24300
    limit2022-01-05 16:53
  • 劉建勛：大尺寸硅基Ga
    《大尺寸硅基GaN射頻器件材料外延生長研究》作者：劉建勛，詹曉寧，孫秀建，黃應(yīng)南，高宏偉，孫錢，楊輝單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所，中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)納米技術(shù)與納米仿生學(xué)院
    25700
    limit2022-01-05 16:49
  • 孫錢：硅襯底GaN基激
    《硅襯底GaN基激光器研究進展》作者：馮美鑫，劉建勛，孫錢，楊輝單位：中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所
    38100
    limit2022-01-05 15:36
  • 視頻報告 2017---功率
    美國國家工程院院士、美國加利福尼亞大學(xué)杰出教授、Transphorm 的聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh K. MISHRA的高足吳毅鋒博士，分享了功率器件之爭：寬禁帶vs硅的發(fā)展動態(tài)。 吳毅鋒表示寬禁帶技術(shù)對于電力、能源節(jié)約具有非常重要的意義。我們需要繼續(xù)發(fā)展功率元件，該領(lǐng)域的市場潛力非常大，對于功率器件而言，可靠性至關(guān)重要。結(jié)合目前的發(fā)展情況，對于硅、碳化硅和硅基氮化鎵來說，硅基氮化鎵能力性可能更強。硅是目前功率元件中最成功的，已經(jīng)
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    limit2021-04-29 12:39
  • 【視頻報告 2018】株
    株洲中車時代電氣股份有限公司半導(dǎo)體事業(yè)部副總經(jīng)理研發(fā)中心主任戴小平介紹了《多電飛機平面封裝型碳化硅功率模塊》技術(shù)報告；
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    limit2021-04-29 12:27
  • 【視頻報告 2018】Ado
    瑞典Ascatron AB 首席技術(shù)官Adolf SCHÖNER介紹了《10千伏高壓4H碳化硅PIN二極管的少子壽命調(diào)制》技術(shù)報告；
    124700
    limit2021-04-29 12:26
  • 【視頻報告 2018】P.S
    高溫、高功率寬帶隙半導(dǎo)體要求掌握碳化硅（SiC）等材料的晶體生長過程。今天，SiC是通過氣相或液相法生長的，它包括下列過程：反應(yīng)物的生成、反應(yīng)物到生長表面的傳輸、生長表面的吸附、成核和最終晶體生長。GT Advanced Technologies首席技術(shù)官P.S. RAGHAVAN分享了《碳化硅襯底技術(shù)的最新進展》技術(shù)報告，報告中介紹了不同的SiC晶體生長過程以及SiC技術(shù)的最新進展。
    246400
    limit2021-04-29 12:25
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