亚洲日韩久久|国偷自产一区二区三区蜜臀国|国产一区二区日韩|99热这里只亚洲无码,无码

《寬禁帶半導體異質(zhì)嫁接及其器件應用》作者：劉洋，汪萊，郝智彪，羅毅單位：清華大學電子工程系

《基于寬禁帶鋁鎵氮納米線的新型紫外光電化學光探測器研究進展》作者：汪丹浩，孫海定，龍世兵單位：中國科學技術大學微電子學院

《寬禁帶氮化物半導體紫外探測器研究》作者：蔣科，孫曉娟，郭龍，張山麗，陳雨軒，黎大兵單位：中國科學院長春光學精密機械與物理研究所，中國科學院大學材料科學與光電工程中心

《超寬禁帶氧化鎵半導體功率電子器件和光電探測器》作者：龍世兵，徐光偉，趙曉龍，孫海定單位：中國科學技術大學

《寬禁帶半導體工藝氣體純化》作者：江曉松單位：上海先普氣體技術有限公司

《寬禁帶半導體材料中載流子調(diào)控的普適性原理探討》作者：黃豐單位：中山大學材料學院

《寬禁帶III族氮化物中點缺陷單光子發(fā)射的理論研究》作者：石芝銘，臧行，齊占斌，孫曉娟，黎大兵單位：中科院長春光學精密機械

《AlN基寬禁帶半導體缺陷調(diào)控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學院長春光機所、中國科學院大學材料科學與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導體缺陷調(diào)控及p型摻雜研究》作者：黎大兵，孫曉娟，蔣科，賁建偉，張山麗，單位：中國科學院長春光機所、中國科學院大學材料科學與光電工程中心《AlN基寬禁帶半導體

美國國家工程院院士、美國加利福尼亞大學杰出教授、Transphorm 的聯(lián)合創(chuàng)始人Umesh K. MISHRA的高足吳毅鋒博士，分享了功率器件之爭：寬禁帶vs硅的發(fā)展動態(tài)。 吳毅鋒表示寬禁帶技術對于電力、能源節(jié)約具有非常重要的意義。我們需要繼續(xù)發(fā)展功率元件，該領域的市場潛力非常大，對于功率器件而言，可靠性至關重要。結合目前的發(fā)展情況，對于硅、碳化硅和硅基氮化鎵來說，硅基氮化鎵能力性可能更強。硅是目前功率元件中最成功的，已經(jīng)

一直以來，高功率密度電動汽車電力驅(qū)動系統(tǒng)是新一代大功率電動汽車發(fā)展的主要挑戰(zhàn)，寬禁帶功率器件的應用，將對新一代電動汽車的發(fā)展產(chǎn)生重要影響。德國亞琛工業(yè)大學教授，AIXTRON SE 全球副總裁Michael HEUKEN帶來了寬禁帶器件在汽車應用中的加速采用的報告，分享了目前的發(fā)展現(xiàn)狀及AIXTRON的策略。

南京大學教授陸海報告中介紹了寬禁帶半導體紫外光電探測器及其應用進展。介紹了基于III族氮化物半導體和SiC的高性能UV光電探測器的材料生長，設計和制造方面的最新工作。

西安電子科技大學教授張金風做了題為金剛石超寬禁帶半導體材料和器件新進展的主題報告。她介紹說，金剛石屬于新興的超寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大，耐擊穿，載流子遷移率高，熱導率極高，抗輻照等優(yōu)點。在熱沉，大功率、高頻器件，光學窗口，量子信息等領域具有極大應用潛力。報告中介紹了大尺寸金剛石單晶的制備方法最成功的是同質(zhì)外延的克隆拼接生長方法和在Ir襯底上異質(zhì)外延的生長方法。她表示，實現(xiàn)室溫下高電離率的體摻

日本國立佐賀大學同步輻射光應用研究中心主任、電氣電子系教授郭其新帶來了題為超寬禁帶氧化半導體的生長和特性的主題報告。郭其新主要從事半導體材料制備與表征，同步輻射光應用研究。報告中主要介紹了Ga2O3等寬禁帶氧化半導體薄膜的生長和特性。通過對于In和Al元素的調(diào)整我們可以調(diào)整Ga2O3或Ga2O3薄膜的能帶寬度。研究制備了Ga2O3:Er/Si LED，其驅(qū)動電壓稍微比ZnO:Er/Si或者GaN:Er/Si的要低。同時，還研究了Eu摻雜的Ga2O3薄膜的

荷蘭代爾夫特理工大學教授Braham FERREIRA帶來了題為寬禁帶功率半導體國際技術路線圖的精彩報告，介紹了寬禁帶功率半導體國際技

加拿大CROSSLIGHT半導體軟件公司創(chuàng)立人兼總裁李湛明分享了《寬禁帶器件的設計和TCAD模擬》研究報告。早年經(jīng)華人諾獎得主李政道博

荷蘭代爾夫特理工大學教授、IEEE電力電子協(xié)會主席Braham FERREIRA在“未來寬禁帶電力電子技術的發(fā)展”報告時表示，開幕式上曹部長說到2030年巨大的戰(zhàn)略和規(guī)劃，同時我們有非常卓越的一些技術性的演講，但這些演講都是關于技術方面的，我們能做什么？如