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  • 西安電子科技大學王鵬
    雙閾值耦合AlGaN/GaN HEMT中用于優(yōu)化Ka波段高電場線性度的多指漏極板研究Investigation of multi-fingers drain field plate in dual-threshold coupling AlGaN/GaN HEMTs for optimizing linearity at high electrical field in Ka-bands王鵬飛西安電子科技大學Wang PengfeiXidian University
    95900
    guansheng2023-05-22 15:22
  • 山東大學新一代半導體
    電流/功率截止頻率為135/310 GHz的高性能硅基InAlN/GaN HEMTsHigh-Performance InAlN/GaN HEMTs on Silicon Substrate with fT/fmax of 135/310 GHz 崔鵬山東大學新一代半導體材料研究院研究員CUIPengResearch Fellow of the Institute of Novel Semiconductor of Shandong University
    110000
    guansheng2023-05-22 15:20
  • 澳大利亞麥考瑞大學教
    Scalable nonlinear RF modeling of GaN HEMTs with industry standard ASM-HEMT compact modelSourabh KHANDELWAL澳大利亞麥考瑞大學教授Sourabh KHANDELWALProfessor of Macquarie University, Australia
    78100
    guansheng2023-05-22 15:14
  • 中科院寧波材料所戴貽
    無等離子體損傷GaN HEMT極化隔離的設計與優(yōu)化Design and optimization of polarization isolation toward plasma-damage-free GaN HEMT戴貽鈞中國科學院寧波材料技術(shù)與工程研究所DAI YiyunNingbo Institute of Materials Technology and Engineering, Chinese Academy of Sciences
    69000
    guansheng2023-05-22 15:13
  • 中科院蘇州納米所助理
    功率HEMT的p-GaN柵極可靠性及其加固方法GaN Gate Reliability and Its Reinforcement Techniques in Power HEMTs鐘耀宗中國科學院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所助理研究員ZHONG YaozongAssistant Professor of Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences
    73800
    guansheng2023-05-22 15:12
  • 中國科學院北京納米能
    AlGaN/GaN HEMT能帶工程和界面調(diào)制AlGaN/GaN HEMT energy band engineering and interface modulation胡衛(wèi)國中國科學院北京納米能源與系統(tǒng)研究所研究員HU WeiguoProfessor of Beijing Institute of Nanoenergy and Systems, Chinese Academy of Sciences
    102700
    guansheng2023-05-22 15:02
  • 電子科技大學博士陳匡
    p-GaN Gate HEMT器件閾值穩(wěn)定性及其機理Study of the Physics of Vth Instability of p-GaN Gate HEMT陳匡黎電子科技大學博士ZHOU QiProfessor of University of Electronic Science and Technology of China
    80300
    guansheng2023-05-22 15:02
  • 加拿大滑鐵盧大學副教
    RecentProgressoftheMITVirtual-SourceGaNHEMT(MVSG)CompactModelLan WEI加拿大滑鐵盧大學副教授Lan WEIAssociate Professor of University of Waterloo, Canada
    91500
    guansheng2023-05-22 14:59
  • 芯干線市場總監(jiān)孔令濤
    GaN HEMT與SIC MOSFET在戶用儲能PCS方向應用優(yōu)勢Advantages in household energy storage PCS using GaN HEMT and SiC MOSFET https://fanyi.baidu.com/?aldtype=85孔令濤--南京芯干線科技有限公司市場總監(jiān)
    68200
    guansheng2023-05-22 13:54
  • 意大利帕多瓦大學Enri
    用于高效能量轉(zhuǎn)換應用的GaN HEMT的深能級效應和可靠性Deep level effects and reliability of GaN HEMTs for high efficiency energy conversion applicationsEnrico Zanoni意大利帕多瓦大學信息工程系教授Enrico ZanoniProfessor of Dipartimento di Ingegneria dellInformazioneUniversit di Padova
    131200
    guansheng2023-05-19 08:57
  • 中電科13所高楠：MOCV
    MOCVD生長高質(zhì)量6英寸SiC上GaN HEMT材料高楠，房玉龍*，尹甲運，張志榮，王波，李佳，蘆偉立，陳宏泰，牛晨亮中國電子科技集團公司第十三研究所
    67200
    guansheng2022-09-01 13:45
  • 中科院寧波材料所郭煒
    基于極化調(diào)控的GaN HEMT隔離特性研究戴貽鈞，郭煒*，陳荔，李曉航，葉繼春中國科學院寧波材料技術(shù)與工程研究所
    85300
    guansheng2022-09-01 12:27
  • 中科院北京納米所胡衛(wèi)
    壓電能帶工程和柔性AlGaN/GaN HEMT化麒麟，胡衛(wèi)國*中國科學院北京納米能源與系統(tǒng)研究所
    64400
    guansheng2022-09-01 12:22
  • 南京大學王海萍:基于
    基于增強型p-GaN HEMT的高性能紫外光電晶體管王海萍，游海帆，陳敦軍*，張榮，鄭有炓南京大學
    54600
    guansheng2022-09-01 12:16
  • 黃火林：GaN基增強型H
    《GaN基增強型HEMT器件關鍵技術(shù)》作者：黃火林單位：大連理工大學光電工程與儀器科學學院
    13200
    limit2022-01-10 11:07
  • Hui Guo: NiO/AlGaN i
    NiO/AlGaN interface reconstruction and transport manipulation of p-NiO gated AlGaN/GaN HEMTsAuthor: Hui Guo, Hehe Gong, Xinxin Yu, Rui Wang, Qing Cai, Danfeng Pan, Jiandong Ye, Bin Liu, Dunjun Chen, Hai Lu, Rong Zhang, Youdou Zheng單位/Institute: 南京大學電子科學與工程學院
    19500
    limit2022-01-07 11:53
  • 吳千樹：肖特基p型柵
    《肖特基p型柵結(jié)構(gòu)GaN基HEMTs中Vth的影響機理》作者：吳千樹，何亮，張津偉，陳佳，黎城朗，張琦，丘秋凌，劉振興，周毓昊，吳志盛，賀志遠，劉揚單位：中山大學電子與信息工程學院，工業(yè)和信息化部電子第五研究所
    23700
    limit2022-01-07 11:51
  • 劉婷：Suppression of
    Suppression of the Regrowth Interface Leakage Current in AlGaN/GaN HEMTs by Unactivated Mg Doped GaN Layer作者：劉婷, 渡邊浩崇 ,新田州吾,王嘉,于國浩,安藤裕二, 本田善央, 天野浩,田中墩之,小出康夫單位：名古屋大學未來材料系統(tǒng)研究所，名古屋大學電子學系，北京化工大學數(shù)理學院
    7800
    limit2022-01-05 16:56
  • 化夢媛：常關型 GaN P
    《常關型 GaN PNJ-HEMT 柵極漏電機理及閾值電壓穩(wěn)定性》作者：化夢媛，李玲玲，王成財，姜作衡單位：南方科技大學
    20600
    limit2022-01-05 16:54
  • 【視頻報告 2018】中
    中科院半導體研究所所長助理、研究員張韻分享了《III族氮化物基射頻HEMT、HBT與濾波器》報告，受限于鈮酸鋰聲速較低(3400-4000 m/s)，商用鈮酸鋰基聲表面波（SAW）濾波器工作頻率通常低于3 GHz，難以滿足通訊系統(tǒng)頻率不斷提升的需求，因此基于高聲速AlN薄膜(5600-6000 m/s)的高頻SAW濾波器成為研究熱點。分別在鈮酸鋰襯底和AlN/藍寶石襯底上制備出叉指寬度為2 靘的SAW濾波器，鈮酸鋰SAW濾波器的中心頻率為426.7 MHz，而AlN基SAW 濾
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    limit2021-04-29 12:20
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