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廣東致能：全球首發(fā)硅基垂直 GaN HEMT 功率器件技術(shù)

標準/“GaN HEMT開關(guān)可靠性試驗、功率器件用硅襯底GaN外延片”2項標準形成委員會草案

標準 |《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法》發(fā)布

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

CSPSD 2025前瞻|上海大學(xué)任開琳：E型GaN HEMT和pFET的穩(wěn)定性增強研究

科研成果| p-GaN柵HEMT器件在負柵壓阻斷態(tài)下的重離子輻照可靠性實驗研究

CSPSD 2025前瞻|南京大學(xué)陳敦軍：p-NiO/AlGaN/GaN HEMT功率器件及其載流子輸運與調(diào)控

CSPSD 2025前瞻| 西安電子科技大學(xué)趙勝雷：GaN HEMT器件擊穿機理多維度分析與探討

CSPSD 2025前瞻|工信部第五研究所施宜軍：P-GaN HEMT柵極ESD魯棒性及改進方法

中國科學(xué)院寧波材料技術(shù)與工程研究所郭煒研究員在GaN HEMT器件研究中取得新進展

CSPSD 2025前瞻|中國科學(xué)院微電子所黃森：高可靠GaN基MIS-HEMT功率器件與集成

標準 |“GaN HEMT DHTOL、功率器件用硅襯底GaN HEMT外延片”2項標準形成征求意見稿

國家工程研究中心最新突破：磁控濺射AlN覆蓋層提升p-GaN HEMT器件性能

標準 | 《UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法》形成委員會草案

材料深一度｜一篇帶你了解GaN HEMT最全產(chǎn)品情況

CASA立項《HEMT功率器件用硅襯底氮化鎵外延片》1項團體標準

武漢大學(xué)聯(lián)合中科大iGaN實驗室與工信部電子五所在GaN基HEMTs的溝道溫度監(jiān)測研究領(lǐng)域取得新進展

UIS應(yīng)力下GaN HEMT在線測試方法征求意見

投資949億韓元 Chemtronics將開始建設(shè)第8代OLED蝕刻工廠

中國科大微電子學(xué)院在GaN HEMT開關(guān)瞬態(tài)建模方向取得新進展

CASA立項GaN HEMT非鉗位感性負載開關(guān)魯棒性測試方法1項團體標準

標準 | 2項GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試標準形成委員會草案

新微半導(dǎo)體“一種HEMT器件的柵極、HEMT器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

北京大學(xué)申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進而降低損耗

北京大學(xué)申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進而降低損耗

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項團體標準形成征求意見稿

CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大學(xué)孫佳慧：肖特基型p-GaN柵GaN HEMT的柵極抗靜電魯棒性

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項團體標準形成征求意見稿

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項團體標準形成征求意見稿

揚杰科技申請高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法專利

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