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投資949億韓元 Chemtronics將開始建設(shè)第8代OLED蝕刻工廠

中國科大微電子學(xué)院在GaN HEMT開關(guān)瞬態(tài)建模方向取得新進展

CASA立項GaN HEMT非鉗位感性負(fù)載開關(guān)魯棒性測試方法1項團體標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn) | 2項GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試標(biāo)準(zhǔn)形成委員會草案

新微半導(dǎo)體“一種HEMT器件的柵極、HEMT器件及其制備方法”專利獲授權(quán)

北京大學(xué)申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進而降低損耗

北京大學(xué)申請多溝道GaN基HEMT專利，降低導(dǎo)通電阻進而降低損耗

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項團體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

CSPSD 2024成都前瞻 |香港科技大學(xué)孫佳慧：肖特基型p-GaN柵GaN HEMT的柵極抗靜電魯棒性

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項團體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

《用于零電壓軟開通電路的GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》等兩項團體標(biāo)準(zhǔn)形成征求意見稿

揚杰科技申請高封裝功率密度的GaNHEMT器件及其制備方法專利

聯(lián)合攻關(guān)成果！1700V GaN HEMTs器件研制成功

北京大學(xué)申請高動態(tài)穩(wěn)定性GaN器件專利，提高GaN HEMT的動態(tài)穩(wěn)定性

性能位居前列！芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的 850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品

CASICON西安前瞻| 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所副研究員張連:GaN功率型HBT與毫米波HEMT研究進展

CASA發(fā)布《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告已形成委員會草案

標(biāo)準(zhǔn) | CASA立項《射頻GaN HEMT結(jié)構(gòu)的遷移率非接觸霍爾測量方法》等5項團體標(biāo)準(zhǔn)

東南大學(xué)牽頭起草的《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告已形成委員會草案

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

芯導(dǎo)科技：第三代半導(dǎo)體650VGaNHEMT產(chǎn)品預(yù)計今年可實現(xiàn)量產(chǎn)

深圳大學(xué)劉新科研究員團隊研發(fā)出自支撐GaN襯底上的高性能常關(guān)型PGaN柵極HEMT

東南大學(xué)牽頭起草《分立GaN HEMT功率器件動態(tài)電阻評估》技術(shù)報告征求意見

技術(shù)分享：基于氮化鎵單晶襯底的增強型氮化鎵HEMTs

Wolfspeed：GaN HEMT 大信號模型

標(biāo)準(zhǔn) | 電子五所牽頭的T/CASAS 005《用于硬開關(guān)電路的GaN HEMT動態(tài)導(dǎo)通電阻測試方法》形成委員會草案

ROHM確立柵極耐壓高達8V的150V GaN HEMT的量產(chǎn)體制

河北半導(dǎo)體研究所高楠：國產(chǎn)4英寸GaN襯底上MOCVD外延高質(zhì)量AlGaN/GaN HEMT材料

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