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丹麥科技大學(xué)教授歐海燕SiC白光發(fā)射主題報告；報告中指出，碳化硅（SiC）是寬間接帶隙半導(dǎo)體，發(fā)光效率低。 但這種材料除了豐富之外，還具有非常獨特的物理性能，如良好的導(dǎo)熱性，高擊穿電場等。 因此，研究其發(fā)光性能是非常有意義的，以便充分利用這種材料。 在這個演講中，介紹兩種方法，即通過施主-受主對摻雜SiC以及用制造多孔SiC的方法來制造發(fā)光的SiC。通過氮與硼共同重?fù)诫sSiC，以證明有強(qiáng)烈的黃光發(fā)出。 之后，在優(yōu)化鈍化條件之后，多孔SiC發(fā)射強(qiáng)藍(lán)綠色的光也被證明。當(dāng)發(fā)黃光的共摻雜SiC和發(fā)藍(lán)綠光的多孔Si

德國愛思強(qiáng)股份有限公司電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生產(chǎn)率的碳化硅同質(zhì)外延的程序在大容量生產(chǎn)反應(yīng)器當(dāng)中的表現(xiàn)主題報告。他表示，用于高產(chǎn)量生產(chǎn)的高增長率SiC同質(zhì)外延工藝生長的大容量生產(chǎn)反應(yīng)器，它是在于每小時二十五微米，更好地，更快速地長外延材料，那么也是在生產(chǎn)領(lǐng)域?qū)τ谏a(chǎn)廠家來說是一個好事，那么同時它這個結(jié)果在之間出的效果，尤其是在一千二百伏元器件體現(xiàn)出來。預(yù)計2018年這種全面的自動化技術(shù)的使用，會使得我們整個產(chǎn)業(yè)會有大量的一個客戶量的增長。

南京電子器件研究所黃潤華博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的設(shè)計與制造關(guān)鍵點。他表示，未來的工作主要還是針對一千兩百伏到一千七百伏的企業(yè)，要實現(xiàn)一個產(chǎn)品化，目前提供可生產(chǎn)性基本滿足產(chǎn)品要求，未來就是為了降低電阻，提升我們的可靠性，還要進(jìn)行下一步的研究。再下一步要開發(fā)三千三百伏到一萬伏，爭取到五千伏的時候推出一些產(chǎn)品。

該視頻為：超凡數(shù)據(jù)與咨詢事業(yè)部檢索業(yè)務(wù)高級總監(jiān)馬志勇主講的《SiC國際知名企業(yè)專利布局策略與競合動向》報告。 他表示：“研發(fā)者首先要注重和用專利，注意你的核心技術(shù)你的專利，要用拳頭保護(hù)咱們的產(chǎn)品。要用專利的挖掘與布局來保護(hù)我們的產(chǎn)品和研發(fā)。并且通過專利分析可以找到合作者，補全我們產(chǎn)業(yè)鏈的一環(huán)，增強(qiáng)實力。這些巨頭是一個競爭，我們要關(guān)注它的專利，規(guī)避我們的風(fēng)險，通過專利分析這些東西都是潛在可能的。”

該視頻為：日本大阪大學(xué)助理教授CHEN Chuantong主講的《SiC功率芯片貼片模組低應(yīng)力連接技術(shù)》報告。為SiC芯片的鍵合，研究了一種燒結(jié)微孔和鎢(W)薄膜的夾層結(jié)構(gòu)。芯片粘連層被設(shè)計為微孔Ag/鎢/微孔Ag以便增加粘連層厚度，從而實現(xiàn)低應(yīng)力的SiC功率模塊。Ag膏的厚度為0.1mm，而鎢的厚度分別為0.1mm和0.5mm。粘連層剪切強(qiáng)度高達(dá)60Mpa，1000次熱循環(huán)（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此燒結(jié)技術(shù)最有希望應(yīng)用于高溫工作的低應(yīng)力的SiC功率模塊。 第三代半導(dǎo)體材料主要包

大連理工大學(xué)王德君教授在“SiC MOS界面陷阱的鈍化技術(shù)及電子性能”報告中介紹了缺陷到底是什么樣子，缺陷如何去鈍化以及進(jìn)一步的研究工作進(jìn)展。并把下一步的工作和進(jìn)一步實用化的相關(guān)內(nèi)容，包括產(chǎn)業(yè)方向上的發(fā)展做了詳細(xì)介紹。并介紹了核心的鈍化技術(shù)，比較獨特，這個鈍化它的研究都是建立在它的物理技術(shù)之上，所以這個測試比較強(qiáng)。