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華燦光電股份有限公司副總裁王江波在SSLCHINA2017“芯片、封裝與模組技術(shù)分會上做了“高光效LED照明及下一代LED顯示技術(shù)的發(fā)展與前景”的主題報告； 他表示，在過去20年當(dāng)中，LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常迅速，年負荷增長率做到了30%左右，尤其是在十二五期間，整個行業(yè)分成了上游、中游、下游，下游產(chǎn)業(yè)規(guī)模是最大的，中國現(xiàn)在已經(jīng)逐漸的變成世界上最大的LED芯片生產(chǎn)國家，現(xiàn)在基本上占有53%的整個市場的份額，一個產(chǎn)能的份額。 LED照明市場在2015年至2020年，預(yù)測接下來還會有一個接近10%的增長。背光方

SSLCHINA 2017之“生物農(nóng)業(yè)光照技術(shù)”分會上，臺灣大學(xué)教授、臺灣植物工廠首席專家方煒介紹了用于高附加值作物生產(chǎn)的人工光植物工廠。他表示，植物工廠有很高的發(fā)展?jié)摿?，LED可以讓植物工廠發(fā)展的更好。

北京大學(xué)微電子學(xué)院陶明分享“高擊穿電壓高和低電流崩塌的常關(guān)硅基GaN MOSHEMT”新進展報告。她主要介紹了一種無等離子體、自停止的柵刻蝕技術(shù)，在 優(yōu)化的HEMT結(jié)構(gòu)上實現(xiàn)了高性能的增強型GaN MOSHEMT。

中國農(nóng)業(yè)科學(xué)院北京畜牧獸醫(yī)研究所孫研研介紹了LED光譜對蛋雞生長發(fā)育和繁殖性能的影響主題報告。

該視頻為：中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、中國科學(xué)院大學(xué)崗位教授趙麗霞，主講的《Reliability and Failure Analysis for GaN-based LEDs》學(xué)術(shù)報告。

該視頻為：日本大阪大學(xué)助理教授CHEN Chuantong主講的《SiC功率芯片貼片模組低應(yīng)力連接技術(shù)》報告。為SiC芯片的鍵合，研究了一種燒結(jié)微孔和鎢(W)薄膜的夾層結(jié)構(gòu)。芯片粘連層被設(shè)計為微孔Ag/鎢/微孔Ag以便增加粘連層厚度，從而實現(xiàn)低應(yīng)力的SiC功率模塊。Ag膏的厚度為0.1mm，而鎢的厚度分別為0.1mm和0.5mm。粘連層剪切強度高達60Mpa，1000次熱循環(huán)（-50-250 ℃）后仍然大于30MPa。此燒結(jié)技術(shù)最有希望應(yīng)用于高溫工作的低應(yīng)力的SiC功率模塊。 第三代半導(dǎo)體材料主要包

該視頻為：超凡數(shù)據(jù)與咨詢事業(yè)部檢索業(yè)務(wù)高級總監(jiān)馬志勇主講的《SiC國際知名企業(yè)專利布局策略與競合動向》報告。 他表示：“研發(fā)者首先要注重和用專利，注意你的核心技術(shù)你的專利，要用拳頭保護咱們的產(chǎn)品。要用專利的挖掘與布局來保護我們的產(chǎn)品和研發(fā)。并且通過專利分析可以找到合作者，補全我們產(chǎn)業(yè)鏈的一環(huán)，增強實力。這些巨頭是一個競爭，我們要關(guān)注它的專利，規(guī)避我們的風(fēng)險，通過專利分析這些東西都是潛在可能的。”

南京電子器件研究所黃潤華博士分享了1.2kV 4H-SiC DMOSFET的設(shè)計與制造關(guān)鍵點。他表示，未來的工作主要還是針對一千兩百伏到一千七百伏的企業(yè)，要實現(xiàn)一個產(chǎn)品化，目前提供可生產(chǎn)性基本滿足產(chǎn)品要求，未來就是為了降低電阻，提升我們的可靠性，還要進行下一步的研究。再下一步要開發(fā)三千三百伏到一萬伏，爭取到五千伏的時候推出一些產(chǎn)品。

德國愛思強股份有限公司電力電子器件副總裁Frank WISCHMEYER先生分享了，就高生產(chǎn)率的碳化硅同質(zhì)外延的程序在大容量生產(chǎn)反應(yīng)器當(dāng)中的表現(xiàn)主題報告。他表示，用于高產(chǎn)量生產(chǎn)的高增長率SiC同質(zhì)外延工藝生長的大容量生產(chǎn)反應(yīng)器，它是在于每小時二十五微米，更好地，更快速地長外延材料，那么也是在生產(chǎn)領(lǐng)域?qū)τ谏a(chǎn)廠家來說是一個好事，那么同時它這個結(jié)果在之間出的效果，尤其是在一千二百伏元器件體現(xiàn)出來。預(yù)計2018年這種全面的自動化技術(shù)的使用，會使得我們整個產(chǎn)業(yè)會有大量的一個客戶量的增長。

所有的技術(shù)都有一個發(fā)展過程，尤其對于電網(wǎng)來說，它要求的高電壓大電流，它的可靠性要求三十年甚至四十年。國家電網(wǎng)全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院功率半導(dǎo)體研究所副總工程師楊霏介紹了碳化硅材料和電力器件在電網(wǎng)當(dāng)中的應(yīng)用。其中對電網(wǎng)整體對材料的要求，材料部分的需求和裝備的國內(nèi)國際進展進行了細致介紹。他表示，預(yù)期到2025年左右，十千伏十安的全控型的模塊應(yīng)當(dāng)是可以達到應(yīng)用水平，這樣的話就是直流輸電的話，靈活直流輸電可能要突破五百千伏到八百千伏的水平，到2050年碳化硅三十千伏五千的應(yīng)該可以達到應(yīng)用水平，這樣來說對電網(wǎng)的預(yù)期是整

英諾賽科（珠海）科技有限公司副總經(jīng)理金源俊介紹“200mm CMOS晶圓廠無分散增強型650V GaN-on-Si HEMTs 器件工藝”報告。 由于缺乏低成本GaN體襯底，GaN被外延生長在各種基底上，最常見的是藍寶石，碳化硅（SiC）和硅。雖然晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的失配使外延GaN很困難，特別是對于較大的Si襯底尺寸，但是對GaN生長Si襯底變得有吸引力，這是因為Si的晶圓直徑大（200mm及更高）。為了替代商業(yè)的Si功率器件，GaN器件應(yīng)當(dāng)設(shè)計為增強型（e-mode），并通過低成本，

南方科技大學(xué)副教授劉召軍在分享“可編程有源矩陣Micro-LED顯示器的設(shè)計與制作”報告中表示，Micro-LED還可以被用于微型投影儀，不僅所需光路簡單還可以大大提高整個系統(tǒng)的光利用率。Micro-LED在可穿戴器件應(yīng)用中也炙手可熱，適用于低功耗高亮度大視角的頭戴式眼鏡等應(yīng)用場景。此外，基于氮化鎵材料的Micro-LED在多種極端環(huán)境下依然能保持高度穩(wěn)定性和可靠性，這使得其在特種應(yīng)用方面前景更加廣闊。劉教授重點對介紹了 Micro-LED的電學(xué)特性和最優(yōu)化設(shè)計； 電流控制電流源設(shè)計架構(gòu)的有源選址Micr

新加坡TüV SüD Asia Pacific Pte Ltd項目經(jīng)理&高級工程師Henry Marvin B?LL做了題為室內(nèi)農(nóng)業(yè)人工照明的標(biāo)準(zhǔn)與設(shè)計準(zhǔn)則的報告。Henry Marvin B?LL 目前主要的研究工作集中在用于控制園藝環(huán)境的人工照明。報告中，他介紹了對植物工廠中人工光源很重要的標(biāo)準(zhǔn)，包括參數(shù)的解讀，以及如何目前可使用的一些標(biāo)準(zhǔn)。

廈門通秮科技有限公司總經(jīng)理徐虹分享了人工智能+物聯(lián)網(wǎng)+LED（人工智能驅(qū)動的PFAL）主題報告。

蘇州納維科技有限公司任國強博士分享“探索氮化物半導(dǎo)體的新應(yīng)用”主題報告

德國ALLOS Semiconductors GmbH市場總監(jiān)Alexander LOESING帶來“無碳摻雜GaN-on-Si大外延片實現(xiàn)低漏電流”報告。 “我們已經(jīng)在（111）硅襯底上通過MOVPE生長了150mm的硅襯底GaN外延片；并且已經(jīng)通過增加GaN厚度到7 ?m能夠顯示有效的隔離。同時，已經(jīng)可以展示進一步提高晶體質(zhì)量提高隔離效果；在XRD下的FWHM為 330arcsec（002）和420arcsec（102）。最后我們證明了通過優(yōu)化GaN和Si襯底之間核/緩沖層以及GaN層的插入層的

中國科學(xué)院微電子研究所研究員黃森分享“基于超薄壁壘AlGaN / GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的常關(guān)型GaN MIS-HEMTs制造”報告。 中國科學(xué)院微電子研究所研究員黃森表示，超薄勢壘（UTB）AlGaN / GaN異質(zhì)結(jié)用于制造常關(guān)斷型GaN基MIS-HEMT。通過低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD）生長的SiNx鈍化膜，有效地減少了超薄勢壘（UTB） Al0.22Ga0.78N（5nm）/ GaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)中2維電子氣體（2DEG）的薄層電阻。制造的Al2O3 / AlGaN / GaN MIS-HEMT表現(xiàn)出

中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所固態(tài)照明研發(fā)中心張連分享“選擇區(qū)域生長AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)雙極晶體管的n-AlGaN發(fā)射器”研究報告。 張連表示，GaN基異質(zhì)結(jié)雙極晶體管（HBT）具有本征優(yōu)點，例如更高線性度，常關(guān)工作模式和更高的電流密度。然而，其發(fā)展進度緩慢。一個主要問題是由低自由空穴濃度引起的基極層的低導(dǎo)電性，以及外部基極區(qū)域的等離子體干蝕刻損傷。雖然一些研究人員使用選擇性區(qū)域再生來減輕基層的損害，但工作后沒有顯著的進步。最常見的因素之一是難以獲得高質(zhì)量的選擇性區(qū)域再生長基底層和發(fā)射極層。通過使用選擇

北京大學(xué)東莞光電研究院生物光環(huán)境研究中心副教授王永志分享了模擬自然光在農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中的應(yīng)用主題報告。

中國農(nóng)業(yè)大學(xué)童勤分享了通過綠光LED調(diào)節(jié)雞蛋孵化研究報告。