報導指出，Rohm在碳化硅(SiC)功率半導體的研發(fā)上居領先，于全球SiC功率半導體市場握有2成市占率，和英飛凌( Infineon )、STMicroelectronics并列為全球主要供應商之一，而其產(chǎn)能擴增至5倍后、全球市占率有望提高至3成。Rohm生產(chǎn)的半導體材料也以經(jīng)由汽車零件廠的形式、使用于特斯拉(Tesla)的EV逆變器(inverter)上。
 

據(jù)媒體報道，自從特斯拉Tesla推出Model3，采用以24個碳化硅 MOSFET為功率模塊的逆變器后，碳化硅（SiC）這類新型半導體材料越來越受重視。
 

報道指出，特斯拉的Model3是第一個應用碳化硅（sic）功率元器件的電動車型，用的是來自意法半導體的650v sic mosfet。相比于在Model s/x上用的igbt，sic mosfet能帶來5-8%逆變器效率提升，也就是從model s的82%逆變器效率提升到model3的90%，對續(xù)航提升顯著。
 

報道指出，sic mosfet除了整體能耗效率的提升，還有一個巨大的優(yōu)勢在于高溫表現(xiàn)，IGBT在高溫下效率會有很大一截下降，而sic mosfet直到200度都能維持正常效率表現(xiàn)。
 

這也是為什么Model3性能版能適當提高驅動模塊的工作溫度來保證動力系統(tǒng)的長時間高功率輸出。
 

中泰證券也表示，目前碳化硅器件在電動車上應用主要是功率控制單元、逆變器、DC-DC轉換器、車載充電器等方面。2015年，汽車巨頭豐田便展示了全碳化硅模組的PCU。相比之下，碳化硅PCU僅為傳統(tǒng)硅PCU的體積的1/5，重量減輕35%，電力損耗從20%降低到5%，提升混動車10%以上的經(jīng)濟性，經(jīng)濟社會效益十分明顯。

早在幾年前，羅姆就規(guī)劃將在旗下生產(chǎn)子公司「ROHM Apollo」的筑后工廠(福岡縣)內興建新廠房，預計于2019年2月動工、2020年12月完工。按照羅姆于SiC電源控制芯片事業(yè)策略說明會上表示，公司將投資約200億日圓，于2020年倍增SiC電源控制芯片產(chǎn)能，而羅姆也考慮于宮崎縣進行增產(chǎn)投資，在2025年3月底前累計將投資600億日圓，屆時將SiC電源控制芯片產(chǎn)能大幅擴增至2016年度16倍。
 

而在早前，ROHM最近舉行了開幕式，宣布將于2019年2月開始在ROHM Apollo的Chikugo工廠完成新建筑的竣工，以增強SiC功率器件的生產(chǎn)能力。
 

新大樓是一家最先進的環(huán)保工廠，其生產(chǎn)設施采用了許多節(jié)能技術，其中100％的電力來自可再生能源。
 

此外，我們通過引入各種災難對策來增強BCM（業(yè)務連續(xù)性管理）系統(tǒng)。從2021年1月起，我們將開始安裝生產(chǎn)設備并構建能夠滿足SiC功率器件中長期增長需求的制造系統(tǒng)。
 

據(jù)報道，自2010年以來，ROHM一直在大量生產(chǎn)包括SiC SBD和MOSFET在內的SiC功率器件，該公司在技術開發(fā)方面繼續(xù)保持行業(yè)領先地位，例如推出了業(yè)界首款全SiC功率模塊和SiC溝槽MOSFET。同時，羅姆擁有一個集成的生產(chǎn)系統(tǒng)，致力于通過增加硅片直徑和利用最新設備來提高生產(chǎn)效率，同時還減少了制造對環(huán)境的影響。
 

除了這棟新建筑外，羅姆集團旗下生產(chǎn)SiC硅片的SiCrystal GmbH計劃從下一個財年開始使用100％可再生能源運營，從而將工廠購買的電力所產(chǎn)生的CO 2排放量降至零。結果，所有主要的SiC芯片生產(chǎn)工藝都將使用環(huán)保的可再生能源。
 

在羅姆擴產(chǎn)之際，ST先下手為強，拿下了羅姆的訂單。
 

在2020年1月，意法半導體與羅姆集團旗下的SiCrystal公司簽署一了份碳化硅（SiC）晶圓長期供應協(xié)議，協(xié)議規(guī)定， SiCrystal將向意法半導體提供總價超過1.2億美元的先進的150mm碳化硅芯片，滿足時下市場對碳化硅功率器件日益增長的需求。
 

對于這次合作，羅姆子公司SiCrystal總裁兼首席執(zhí)行官Robert Eckstein博士表示，“ SiCrystal是ROHM集團旗下的SiC公司，擁有多年的SiC晶圓研制經(jīng)驗。我們很榮幸與長期客戶ST簽訂此供應協(xié)議，未來將不斷增加晶圓產(chǎn)量，并始終提供質量可靠的產(chǎn)品，支持我們的合作伙伴擴大碳化硅業(yè)務。”
 

意法半導體總裁兼首席執(zhí)行官Jean-Marc Chery則透露了接下來的規(guī)劃，“該SiC襯底長期供應協(xié)議是在我們已經(jīng)拿到的外部產(chǎn)能以及正在逐步擴大的內部產(chǎn)能之外的另一項產(chǎn)能保證，這將確保意法半導體能夠增加晶圓供給量并補充內部產(chǎn)能缺口，滿足未來幾年客戶在汽車和工業(yè)項目產(chǎn)品方面的強勁增長的需求。”
 

除了羅姆外，日本廠商都在投入到電動汽車產(chǎn)業(yè)中。
 

據(jù)了解，富士電機( Fuji Electric )將投資約1,200億日圓擴增日本國內外工廠產(chǎn)能、增產(chǎn)功率半導體；東芝( Toshiba )計劃在2023年度結束前投資約800億日圓、將功率半導體產(chǎn)能提高3成；日本電產(chǎn)( Nidec )將砸下2,000億日圓在歐洲興建EV用驅動馬達新工廠。TDK將在三年內投資超過5,200億日元，以增加蓄電池和其他產(chǎn)品的產(chǎn)量。
 

日廠增產(chǎn)EV相關零件，主要是因為全球各國推出減碳政策、推升EV需求。根據(jù)波士頓顧問集團(Boston Consulting Group；BCG)的試算，2025年EV等電動化車款占全球新車銷售量比重有望自2020年的10%揚升至31%水準。
 

日本市調機構富士經(jīng)濟(Fuji Keizai)2020年6月5日公布調查報告指出，2030年全球功率半導體市場規(guī)模預估將擴增至4兆2,652億日圓、將較2019年(2兆9,141億日圓)大增46.4%。
 

其中，2030年碳化硅(SiC)制功率半導體全球市場規(guī)模預估將擴增至2,009億日圓、將達2019年(436億日圓)的4.6倍；氮化鎵( GaN )產(chǎn)品市場規(guī)模預估為232億日圓、將達2019年(19億日圓)的12.2倍。