其中，高壓特色工藝功率芯片和 SiC 芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目，總投資金額20億元，擬通過新建廠房及倉(cāng)庫(kù)等配套設(shè)施，購(gòu)置光刻機(jī)、顯影機(jī)、刻蝕機(jī)、 PECVD、退火爐、電子顯微鏡等設(shè)備，實(shí)現(xiàn)高壓特色工藝功率芯片和 SiC 芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)將形成年產(chǎn) 36 萬片功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力。據(jù)介紹，項(xiàng)目實(shí)施主體為公司全資子公司嘉興斯達(dá)微電子有限公司，計(jì)劃建設(shè)周期為3年。

 

功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目，總投資金額7億元，擬利用現(xiàn)有廠房實(shí)施生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目，購(gòu)置全自動(dòng)劃片機(jī)、在線式全自動(dòng)印刷機(jī)、在線式全自動(dòng)貼片機(jī)、在線式全自動(dòng)真空回流爐、在線式全自動(dòng)清洗機(jī)等設(shè)備，實(shí)施功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，預(yù)計(jì)將形成新增年產(chǎn)400萬片的功率半導(dǎo)體模塊的生產(chǎn)能力。該項(xiàng)目實(shí)施主體為嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司，計(jì)劃建設(shè)周期為3年。

斯達(dá)半導(dǎo)體表示，公司長(zhǎng)期致力于IGBT、快恢復(fù)二極管、SiC等功率芯片的設(shè)計(jì)和工藝以及IGBT、SiC等功率模塊的設(shè)計(jì)、制造和測(cè)試。公司的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制和電源、新能源、新能源汽車、白色家電等領(lǐng)域。公司在現(xiàn)有產(chǎn)品結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上，充分考慮新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)等下游行業(yè)的需求以及技術(shù)方向，以公司現(xiàn)有的技術(shù)為依托，實(shí)施高壓特色工藝功率芯片和SiC芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。項(xiàng)目的實(shí)施有利于豐富公司的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)，進(jìn)一步提升公司綜合競(jìng)爭(zhēng)力。

公司是國(guó)內(nèi)IGBT行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)，生產(chǎn)的IGBT模塊、SiC模塊已獲得包括新能源汽車客戶在內(nèi)的眾多客戶認(rèn)可，進(jìn)口替代比率持續(xù)提高。同時(shí)，隨著新能源汽車、新能源發(fā)電等行業(yè)的需求拉動(dòng)，以IGBT模塊為代表的功率半導(dǎo)體模塊呈現(xiàn)供不應(yīng)求的局面。實(shí)施以IGBT、SiC模塊為主的功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)線自動(dòng)化改造項(xiàng)目，將進(jìn)一步擴(kuò)大公司產(chǎn)能，有助于企業(yè)把握市場(chǎng)機(jī)遇，提高市場(chǎng)占有率。

本次非公開發(fā)行股票募集資金部分用于補(bǔ)充流動(dòng)資金，有利于緩解公司的資金壓力，推進(jìn)公司業(yè)務(wù)規(guī)模的拓展，保障了公司研發(fā)創(chuàng)新及業(yè)務(wù)擴(kuò)張等活動(dòng)的持續(xù)正常開展，可進(jìn)一步優(yōu)化公司的財(cái)務(wù)結(jié)構(gòu)，有利于降低公司財(cái)務(wù)風(fēng)險(xiǎn)，提高公司的償債能力和抗風(fēng)險(xiǎn)能力，保障公司的持續(xù)、穩(wěn)定、健康發(fā)展。