CoolSiC混合產(chǎn)品系列結(jié)合了650V TRENCHSTOP 5 IGBT技術(shù)的優(yōu)勢和共封裝肖特基勢壘CoolSiC二極管的單極結(jié)構(gòu)。

英飛凌科技公司推出650 V CoolSiC混合IGBT產(chǎn)品組合，采用650 V阻斷電壓的分立封裝。CoolSiC混合產(chǎn)品系列結(jié)合了650 V TRENCHSTOP 5 IGBT技術(shù)和共封裝肖特基勢壘CoolSiC二極管單極結(jié)構(gòu)的優(yōu)點。

 

這些器件具有優(yōu)異的開關(guān)頻率和較低的開關(guān)損耗，特別適用于DC-DC電源轉(zhuǎn)換器和功率因數(shù)校正（PFC）。這些器件通常用于電池充電基礎(chǔ)設(shè)施、儲能解決方案、光伏逆變器、不間斷電源(UPS)以及服務(wù)器和電信開關(guān)電源(SMPS)等應(yīng)用中。

 

由于采用了與IGBT共同封裝的續(xù)流SiC肖特基勢壘二極管，CoolSiC混合IGBT在dv/dt和di/dt值幾乎不變的情況下，開關(guān)損耗顯著降低。與標準硅二極管解決方案相比，它們的Eon和Eoff分別降低了60%和30%。或者，在輸出功率要求不變的情況下，開關(guān)頻率至少可以提高40%。更高的開關(guān)頻率將允許減小無源元件的尺寸，從而降低材料清單成本?；旌螴GBT可以作為TRENCHSTOP 5 IGBT的替代產(chǎn)品，無需重新設(shè)計即可在每個10 kHz開關(guān)頻率下將效率提高0.1％。

 

該產(chǎn)品系列在純硅解決方案和高性能SiC MOSFET設(shè)計之間架起了一座橋梁。不僅如此，與純硅設(shè)計相比，混合IGBT還可以提高電磁兼容性和系統(tǒng)可靠性。由于肖特基勢壘二極管的單極性，二極管可以快速開關(guān)，而不會出現(xiàn)嚴重的振蕩和寄生導(dǎo)通的風(fēng)險?？蛻艨梢赃x擇TO-247-3或TO-247-4引腳的Kelvin Emitter封裝。Kelvin Emitter封裝的第四引腳可實現(xiàn)超低電感的柵極發(fā)射極控制環(huán)路，并降低總開關(guān)損耗。

 

CoolSiC Hybrid分立IGBT系列沿襲了早期發(fā)布的CoolSiC Hybrid IGBT EasyPACK 1B和2B模塊的成功路線，采用IGBT芯片和CoolSiC肖特基二極管。該分立產(chǎn)品組合現(xiàn)在可以訂購。它包括40 A、50 A和75 A 的650 V TRENCHSTOP 5超高速H5 IGBT與半額定CoolSiC Gen 6二極管共同封裝，或中速S5 IGBT與全額定CoolSiC Gen 6二極管共同封裝