日前，韓國政府宣布將正式培育下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)，并計劃到2025年為止，開發(fā)5種以上新一代功率半導(dǎo)體商用產(chǎn)品，在國內(nèi)建設(shè)6~8英寸代工廠基礎(chǔ)設(shè)施。

 

據(jù)韓國媒體報道，4月1日，韓國政府召開會議，發(fā)表了包含上述內(nèi)容的"下一代功率半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)能擴(kuò)充方案"。

 

新一代功率半導(dǎo)體由比硅（Si）更節(jié)能、更耐用的新型半導(dǎo)體材料構(gòu)成，包括碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）和氧化鎵（Ga2O3 ），可適用于人工智能 、5G 或需要面對高溫、高壓環(huán)境，且對耐久性要求較高的新能源汽車中。

 

為搶占這一市場，韓國政府作出了一系列計劃，包括鼓勵民間資本對國內(nèi)相關(guān)基礎(chǔ)設(shè)施進(jìn)行投資，建設(shè)6~8英寸代工廠。

 

韓國產(chǎn)業(yè)部長官成允模表示："在AI、5G、自動駕駛、新能源等領(lǐng)域，下一代功率半導(dǎo)體是關(guān)鍵零部件"，"政府計劃積極支援研發(fā)、基礎(chǔ)設(shè)施等，以搶占初期的下一代功率半導(dǎo)體市場，確保未來競爭力。"