近日,《松山湖科學(xué)城發(fā)展總體規(guī)劃(2021—2035年)》(以下簡稱《規(guī)劃》)的基本情況及所涉及的內(nèi)容對外公示并征詢公眾意見。
根據(jù)這一規(guī)劃,東莞松山湖科學(xué)城將以打造全球具有重要影響力的科學(xué)城為總目標(biāo),并試水首席科學(xué)家等制度從而全面探索機(jī)制體制創(chuàng)新。
《規(guī)劃》提出,要牢牢把握“三區(qū)疊加”重大機(jī)遇,以打造全球具有重要影響力的科學(xué)城為總目標(biāo),構(gòu)建基礎(chǔ)科研體系、推動核心技術(shù)研發(fā),加強(qiáng)區(qū)域開放合作、深化體制機(jī)制創(chuàng)新、完善城市綜合服務(wù),努力建成重大原始創(chuàng)新策源地、中試(中間性試驗(yàn))驗(yàn)證和成果轉(zhuǎn)化基地、粵港澳合作創(chuàng)新共同體、體制機(jī)制創(chuàng)新綜合試驗(yàn)區(qū)。
根據(jù)《規(guī)劃》,松山湖科學(xué)城將建設(shè)中試驗(yàn)證和成果轉(zhuǎn)化應(yīng)用平臺,新型半導(dǎo)體前沿技術(shù)創(chuàng)新平臺、智能無線射頻技術(shù)研究平臺、材料性能測試評價(jià)中心、石墨烯規(guī)?;苽渲行?、新材料產(chǎn)品聯(lián)合創(chuàng)新中心等。
其中,新型半導(dǎo)體前沿技術(shù)創(chuàng)新平臺將組建半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)平臺、薄膜生成技術(shù)平臺等,重點(diǎn)開展以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化鋅(ZnO)、金剛石為代表的第三代半導(dǎo)體材料與器件的基礎(chǔ)研究與應(yīng)用研究。建立新型半導(dǎo)體材料結(jié)構(gòu)分析與器件應(yīng)用中試平臺、先進(jìn)封裝測試中試平臺、材料及器件檢測/可靠性與認(rèn)證平臺、重點(diǎn)應(yīng)用場景驗(yàn)證平臺,提升新型半導(dǎo)體材料與器件的研發(fā)速度,加速推動相關(guān)成果轉(zhuǎn)化應(yīng)用。
松山湖科學(xué)城還將加快布局集成電路產(chǎn)業(yè),發(fā)揮東莞龍頭企業(yè)創(chuàng)新引領(lǐng)作用,重點(diǎn)發(fā)展集成電路設(shè)計(jì)、封測、關(guān)鍵設(shè)備和材料。支持企業(yè)開發(fā)CPU、GPU、存儲器等集成電路高端通用器件,加快第三代半導(dǎo)體器件研制,鼓勵(lì)第三代半導(dǎo)體材料、靶材、光刻膠、感光膠等核心材料技術(shù)攻關(guān),強(qiáng)化堆疊式封裝等先進(jìn)工藝開發(fā)。積極爭取國家、省、市集成電路產(chǎn)業(yè)基金以及政策性銀行的資金支持,加快打造高性能集成電路全鏈條產(chǎn)業(yè)基地。
此外,《規(guī)劃》還提出,探索建設(shè)半導(dǎo)體重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室。聚焦國際半導(dǎo)體材料科學(xué)前沿,開展半導(dǎo)體材料與器件的基礎(chǔ)研究與應(yīng)用研究,為國家解決“卡脖子”技術(shù)問題提供重要支撐。
支持科學(xué)城內(nèi)高校與國際知名高校開展高水平合作辦學(xué),支持高等院校成立微電子相關(guān)學(xué)院、增設(shè)半導(dǎo)體相關(guān)專業(yè),推動高校聯(lián)合發(fā)展。
突破材料科學(xué)關(guān)鍵技術(shù),重點(diǎn)圍繞半導(dǎo)體材料、超導(dǎo)材料、磁性材料、納米材料和醫(yī)療增材等產(chǎn)業(yè),在材料性能及成份控制、高性能碳纖維、高性能永磁、寬禁帶半導(dǎo)體、石墨烯、金屬及高分子增材制造材料、智能仿生與超材料、新型低溫超導(dǎo)材料等領(lǐng)域突破一批關(guān)鍵核心技術(shù)。開展半導(dǎo)體材料與器件的基礎(chǔ)研究與應(yīng)用研究,加快摻雜技術(shù)、薄膜生成技術(shù)、圖形轉(zhuǎn)換技術(shù)、新型電子材料等關(guān)鍵核心技術(shù)的研究突破。
《規(guī)劃》還明確,加強(qiáng)晶圓制造、摻雜技術(shù)、薄膜生成技術(shù)以及圖形轉(zhuǎn)換等技術(shù)研發(fā),提高芯片集成程度,促進(jìn)高端芯片研發(fā)。加強(qiáng)對電子材料和部件的缺陷及應(yīng)力進(jìn)行深度檢測,實(shí)現(xiàn)對電子器件材料的結(jié)構(gòu)分析與性能測試。