據(jù)外媒報(bào)道，三星日前宣布3納米制程將自2022年量產(chǎn)，更先進(jìn)的2納米制程于2025年量產(chǎn)。三星3納米制程比原定2021年投產(chǎn)時(shí)間延后約一年。

 

三星原本計(jì)劃今年開始3納米制程生產(chǎn)處理速度更快、能效更高的芯片，但6日三星在“Samsung Foundry Forum”表示，轉(zhuǎn)移到全新制造技術(shù)的難度很高，3納米制程將在2022上半年推出。代表三星客戶將到2022年才能使用最先進(jìn)技術(shù)。已知三星晶圓代工客戶包括手機(jī)芯片廠商高通、服務(wù)器處理器設(shè)計(jì)廠商IBM、GPU大廠英偉達(dá)及三星自家芯片產(chǎn)品。

 

雖然3納米制程延后，但三星強(qiáng)調(diào)，更先進(jìn)的2納米制程技術(shù)將如期在2025年推出，并2026年開始大量生產(chǎn)產(chǎn)品。三星表示，2納米制程技術(shù)將使芯片性能、能效及電子產(chǎn)品小型化繼續(xù)邁進(jìn)，這也是三星第一次談到2納米制程的量產(chǎn)時(shí)程。

 

相較三星延后推出3納米制程，晶圓代工龍頭臺(tái)積電也傳出可能延遲的消息。臺(tái)積電沒有回應(yīng)，僅表示一切依時(shí)程進(jìn)行。臺(tái)積電與三星傳出3納米制程延遲推出，外界評(píng)估可讓處理器龍頭英特爾較緩解壓力。英特爾2021年宣布重返晶圓代工市場(chǎng)，將與臺(tái)積電、三星兩家廠商競(jìng)爭(zhēng)，對(duì)手傳出延后推出先進(jìn)制程，對(duì)時(shí)程相對(duì)落后的英特爾顯然是好消息。

 

外電報(bào)道強(qiáng)調(diào)，隨著個(gè)人電腦銷量成長(zhǎng)，加上智能手機(jī)增加，以及資料中心線上服務(wù)量不斷提升，市場(chǎng)對(duì)芯片的需求超過產(chǎn)能。三星代工事業(yè)部高層表示，“芯片短缺問題要到2022年才會(huì)緩解。盡管三星繼續(xù)投資，其他代工廠商也在增加產(chǎn)能，但我們看來供需不平衡會(huì)再持續(xù)6~9個(gè)月。”

 

發(fā)展新一代制程技術(shù)方面，因進(jìn)展到新一代芯片制造技術(shù)的過程非常復(fù)雜，單芯片由數(shù)十億個(gè)比塵埃還小的電晶體組成，晶圓代工廠需在硅晶圓上蝕刻電路圖，需要數(shù)十個(gè)甚至上百個(gè)步驟、耗時(shí)數(shù)月完成。三星強(qiáng)調(diào)，芯片制造技術(shù)進(jìn)步將使電晶體縮小，就能把更多晶體管壓縮到一個(gè)芯片，提高處理速度并降低功耗，這也是三星3納米制程用新一代全環(huán)繞柵極(GAA)制程的原因。

 

三星強(qiáng)調(diào)，與5納米制程相較，三星首個(gè)3納米GAA制程技術(shù)將允許芯片面積減少35%，性能提高30%或功耗降低50%。除了功耗、性能和面積(PPA)改進(jìn)，隨著制程技術(shù)成熟，3納米良率正在接近4納米制程。三星預(yù)計(jì)2022年推出第一代3納米3GAE制程技術(shù)，2023年推出更新一代的3納米3GAP制程技術(shù)，2025年以2納米2GAP制程技術(shù)投產(chǎn)。

 

除三星外，其他晶圓代工廠也在發(fā)展GAA制程。英特爾2020年6月國(guó)際VLSI會(huì)議，技術(shù)長(zhǎng)Mike Mayberry就說明制程技術(shù)轉(zhuǎn)移到GAA技術(shù)設(shè)計(jì)下，增強(qiáng)靜電。當(dāng)時(shí)英特爾告知5年內(nèi)采用GAA技術(shù)。臺(tái)積電方面，預(yù)計(jì)2納米制程采用GAA技術(shù)，代表著臺(tái)積電能將FinFET技術(shù)壽命延長(zhǎng)至3納米制程。臺(tái)積電正式推出2納米制程確切時(shí)間目前仍不確定，因曾表示5納米和3納米將是長(zhǎng)壽制程節(jié)點(diǎn)。