功率半導體是實現(xiàn)電能控制和轉換的核心器件，寬禁帶半導體產業(yè)是我國“十四五”規(guī)劃和2035遠景規(guī)劃的重要發(fā)展方向，SiC功率器件和模塊的國產化有利于實現(xiàn)我國關鍵領域的獨立自主和進口替代。芯聚能半導體是國內領先的車規(guī)級SiC功率器件模塊公司，也是粵港澳大灣區(qū)重點支持的寬禁帶半導體產業(yè)項目。

 

相比于硅基IGBT，碳化硅MOSFET具有更高結溫、更高頻率和更高耐壓的物理特性。受益于新能源汽車高電壓平臺的應用和超級快充時代的到來，搭載碳化硅主驅逆變器的電動汽車可實現(xiàn)更高效的電驅控制，提高續(xù)航里程，減少電池消耗。碳化硅優(yōu)異的性能表現(xiàn)及成本的不斷降低，將帶來系統(tǒng)級成本優(yōu)勢從而加速其在純電動市場上的應用。