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晶湛半導體總部大樓正式奠基,標志著氮化鎵外延材料產(chǎn)業(yè)化基地正式啟航

日期:2021-12-02 來源:半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:465
核心提示:晶湛半導體總部大樓正式奠基,標志著氮化鎵外延材料產(chǎn)業(yè)化基地正式啟航
   2021年12月2日上午,晶湛半導體總部大樓建設項目奠基儀式在蘇州工業(yè)園區(qū)納米城正式舉行。該項目地塊位于蘇州工業(yè)園區(qū)百川街西、南蕩田巷北,建成后將成為全球領先的氮化鎵外延研發(fā)生產(chǎn)基地。
 
  蘇州工業(yè)園區(qū)黨工委副書記、管委會主任林小明,蘇州市科技局副局長胡捷,蘇州工業(yè)園區(qū)黨工委委員、管委會副主任倪乾,獨墅湖科教創(chuàng)新區(qū)管委會黨工委書記許文清,蘇州工業(yè)園區(qū)科協(xié)主席、科創(chuàng)委副主任、科技招商中心主任肖詩滔,蘇州納米科技發(fā)展有限公司董事長、總裁張淑梅,以及政府相關部門、投資方、合作單位代表等齊聚一堂,共同見證晶湛半導體發(fā)展中這一具有里程碑意義的歷史時刻。
 
 
  圖1:晶湛半導體創(chuàng)始人、董事長兼總裁程凱博士致辭
 
  儀式伊始,晶湛半導體創(chuàng)始人、董事長兼總裁程凱博士對長期關注并支持晶湛發(fā)展的各位領導、各位嘉賓致以最熱烈的歡迎和最誠摯的感謝。他表示,近年來,氮化鎵材料在新一代電力電子、射頻電子以及新型顯示等領域呈現(xiàn)出爆發(fā)式增長,已成為半導體產(chǎn)業(yè)的明日之星。晶湛半導體自成立以來一直致力于第三代半導體材料--氮化鎵的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化,扎根園區(qū),十年磨一劍。今天晶湛半導體總部大樓奠基,標志著晶湛半導體產(chǎn)業(yè)化基地的正式啟航。
 
 
 
  圖2:蘇州工業(yè)園區(qū)黨工委委員、管委會副主任倪乾致辭
 
  儀式上,蘇州工業(yè)園區(qū)黨工委委員、管委會副主任倪乾做了熱情洋溢的致辭并對晶湛的發(fā)展提出了殷切期望。他表示,晶湛半導體成立成長于園區(qū),是園區(qū)自主培育、國內(nèi)首屈一指的第三代半導體氮化鎵外延材料領軍企業(yè)。此次總部大樓開工奠基,標志著晶湛半導體再登新臺階。園區(qū)政府將圍繞功率電子、微波射頻、新型顯示等領域重大需求和前瞻應用,進一步整合資源、集中發(fā)力、協(xié)同攻關,全力推動第三代半導體產(chǎn)業(yè)再增新優(yōu)勢。我們將一如既往做好親商服務,全力營造一流產(chǎn)業(yè)生態(tài),支持包括晶湛半導體在內(nèi)的優(yōu)秀企業(yè)加速成長。
 
  隨后,股東代表和項目承建方代表分別在儀式上致辭,他們表示將繼續(xù)堅定不移支持晶湛發(fā)展,精益求精推動晶湛總部大樓建設工程項目順利進行。
 
 
  圖3:出席儀式的領導嘉賓共同為項目培土奠基
 
  最后,出席儀式的各位領導和嘉賓共同揮鍬,為晶湛半導體總部大樓建設項目奠基培土,正式啟動。
 
  關于晶湛半導體:
 
  蘇州晶湛半導體有限公司由業(yè)界公認的硅基氮化鎵(GaN-on-Si)外延技術的開拓者程凱博士于2012年3月回國創(chuàng)辦,坐落于江蘇省蘇州工業(yè)園區(qū)蘇州納米城內(nèi),擁有國際先進的氮化鎵外延材料研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化基地,致力于為高端光電、電力電子、微波射頻等領域提供高品質(zhì)氮化鎵外延材料解決方案。
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