產(chǎn)業(yè)天時(shí)，碳化硅襯底處于國產(chǎn)化前夜。碳化硅電力電子器件性能顯著優(yōu)于硅基器件，可賦能新能源汽車及光伏發(fā)電領(lǐng)域，實(shí)現(xiàn)提效率、壓體積、減重量全方位提升。IHSMarkit預(yù)計(jì)碳化硅市場規(guī)模2027年可達(dá)100億美元，年化復(fù)合增長38.9%。碳化硅上游襯底環(huán)節(jié)工藝壁壘高、產(chǎn)品良率低，占器件價(jià)值量接近50%。合肥露笑半導(dǎo)體已具備6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底量產(chǎn)能力，年產(chǎn)能2.5萬片，2022年6月年產(chǎn)能有望達(dá)10萬片。

 

合肥地利，聯(lián)手地方國資布局碳化硅襯底。合肥露笑半導(dǎo)體坐落合肥長豐縣，公司聯(lián)手合肥地方國資，擬分三期投資合計(jì)100億元，分階段實(shí)現(xiàn)6英寸及8英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底晶片及外延晶片大規(guī)模量產(chǎn)。合肥露笑半導(dǎo)體成立以來，公司已先后注資32,000萬元。公司于2021年11月24日發(fā)布非公開發(fā)行股票預(yù)案，擬募資29.4億元投入碳化硅項(xiàng)目。

 

技術(shù)人和，股權(quán)激勵(lì)鎖定行業(yè)專家。合肥露笑半導(dǎo)體首席科學(xué)家陳之戰(zhàn)教授曾長期任職于中科院上海硅酸鹽所，研究碳化硅晶體生長相關(guān)技術(shù)工藝23年，發(fā)表論文超100篇，授權(quán)專利50余項(xiàng)。公司員工持股計(jì)劃已授予陳之戰(zhàn)100萬股，分三期按業(yè)績考核解鎖。