創(chuàng)新賦能新征程，國星光電第三代半導體賽道再添“新猛將”！近日，公司最新推出了高品質的SiC模塊及GaN器件新品，并對SiC功率分立器件進行了新升級，為第三代半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)展注入新活力！
新產(chǎn)品
SiC模塊、GaN器件、SiC功率分立器件齊上新
SiC模塊系列新品首發(fā)
針對充電樁、UPS不間斷電源等工業(yè)類領域，對標國內外行業(yè)龍頭，國星光電最新推出的SiC功率模塊產(chǎn)品包括有NS34m、NS62m、NSECO以及NSEAS系列的封裝，拓撲結構涵蓋半橋、全橋、三相橋以及CIB，模塊規(guī)格覆蓋1200V電壓等級，20A-80A的電流范圍，可依據(jù)市場電路系統(tǒng)的輸入輸出要求和成本等因素的考量，選擇不同拓撲結構的功率模塊，并快速進行應用替換。
GaN器件新品上線
瞄準快充市場，國星光電最新推出E-mode的 650V/10A GaN-DFN5*6 GaN器件，BVds>650V，Rdson<150mΩ，性能穩(wěn)定達到行業(yè)器件水平；器件可適用市面上100W以下的充電頭的應用。
SiC功率分立器件全新升級
國星光電對SiC功率分立器件產(chǎn)品進行優(yōu)化升級，完成了TO-247、TO-220、TO-252、TO-263、DFN5*6五種優(yōu)勢封裝結構的開發(fā)。該產(chǎn)品以TO系列為主，目前已建立主流650V系列與1200V系列SiC MOSFET和SiC SBD兩個產(chǎn)品系列，可應用于光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車、充電樁、軌道交通及智能電網(wǎng)等領域的電力轉換裝置。其中1200V 40A SiC MOSFET，Vth開啟電壓低于2.0V，Rdson開通損耗小于50mΩ。
新產(chǎn)線
產(chǎn)業(yè)化進程全面加速
為滿足終端應用市場的需求，國星光電全力加碼對第三代半導體的布局，目前已形成以SiC和GaN為主營業(yè)務的第三代半導體產(chǎn)品系列，包括SiC功率分立器件、SiC功率模塊、GaN器件。其中，SiC模塊及GaN器件新品集生產(chǎn)、測試、可靠性驗證測試一體的實驗線已投入生產(chǎn)運作，可迅速對接客戶個性化的需求；SiC功率分立器件產(chǎn)品已完成了多項可靠性驗證與具體應用端實測工況的評估，產(chǎn)線已投入使用，并完成了多個合作商的試產(chǎn)訂單。
新藍海
產(chǎn)品系列持續(xù)豐富
在應用升級和政策驅動的雙重帶動下，第三代半導體產(chǎn)業(yè)一直是備受關注的重要發(fā)展方向。國星光電立足市場，聚焦領域熱點，不斷豐富產(chǎn)品線路，計劃于今年推出超薄型SiC內絕緣系列分立器件，產(chǎn)品的耐壓能力、散熱能力等將得到進一步的提升，可更好地滿足客戶對器件內部絕緣的嚴苛需求。另一方面，國星光電也將于今年陸續(xù)推出E-mode的650V/15A，Cascode的650V/12A等不同型號的GaN器件產(chǎn)品，為客戶提供定制化技術解決方案，進一步滿足客戶多樣化的需求。
搶抓“十四五”發(fā)展新機遇，接下來，國星光電將持續(xù)加大第三代半導體的研究開發(fā)和技術成果轉化，努力打造具備高可靠性、高品質優(yōu)勢的“三代半功率器件封測企業(yè)”！
