露笑科技表示，公司現(xiàn)有50臺6英寸碳化硅長晶爐正常生產(chǎn)中，2022年1月15日前將有62臺新長晶爐投入使用，2022年5月底前將完成另外112臺長晶爐的安裝調(diào)試，2022年6月底前將有224臺長晶爐投入生產(chǎn)。

 

而在此前一周的調(diào)研中，露笑科技曾表示，公司的碳化硅長晶爐全部由公司自行研發(fā)生產(chǎn)。

 

露笑科技稱，6英寸導電型碳化硅襯底下游終端應用場景包括新能源汽車、光伏逆變器。以新能源車為例，新能源車有13處零部件需要使用碳化硅器件。碳化硅基器件主要有肖特基二極管（SBD），金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）。SBD的國產(chǎn)替代正在進行中，公司6英寸導電型碳化硅襯底已通過外延廠商和下游終端客戶認證。

 

針對下游MOS和SBD應用場景，上游碳化硅襯底端幾乎沒有區(qū)別，只有極少幾個參數(shù)，差別主要在外延層結(jié)構(gòu)。公司碳化硅襯底出廠時MOS和SBD兩個應用場景是通用的。

 

據(jù)露笑科技介紹，公司6英寸碳化硅襯底晶片已形成銷售，目前主要針對下游SBD應用場景。國內(nèi)針對MOS應用的6英寸導電型碳化硅襯底片2022Q2之前都會是送樣認證階段。未來碳化硅成本下降后可實現(xiàn)對硅基功率器件的廣泛替代。

 

露笑科技稱，近期Wolfspeed的首席財務官宣稱在2024年8寸片才可達到盈虧平衡點。我司也有研發(fā)8寸片計劃安排，目前所有設(shè)備都是6-8寸片兼容。切磨拋設(shè)備布局與Wolfspeed同步。

 

 

談及碳化硅項目近況和未來發(fā)展布局時，露笑科技相關(guān)負責人表示，在碳化硅領(lǐng)域，露笑科技2021年在二級市場上創(chuàng)下了歷史新高，而2022年的美好愿景是為成為“第一家量產(chǎn)的導電型碳化硅襯底片”的上市公司而努力。

 

2021年的12月13日，露笑科技發(fā)布公告稱，擬對合肥露笑半導體進行增資6000萬元。公開資料顯示合肥露笑半導體坐落合肥長豐縣，露笑科技聯(lián)手合肥地方國資，擬分三期投資合計100億元，分階段實現(xiàn)6英寸及8英寸導電型碳化硅襯底晶片及外延晶片大規(guī)模量產(chǎn)。

 

在此之前，露笑科技已進行了三輪注資，累計注資3.2億元。本次增資后公司持有合肥露笑半導體股權(quán)由50.98%上升至55.65%。

 

而在2021年11月24日，露笑科技發(fā)布非公開發(fā)行股票預案，擬募資29.4億元投入碳化硅項目。

 

據(jù)了解，目前碳化硅襯底主要分為半絕緣片和導電片。其中，半絕緣片主要應用在射頻，國內(nèi)廠商主要是以山東天岳為主；導電片主要用在功率器件上，露笑科技目前走在前沿。

 

在碳化硅產(chǎn)業(yè)方面，露笑科技在發(fā)展之初就定下規(guī)劃：在2018年1月~2020年11月完成4/6英寸碳化硅晶體生長爐研制與銷售、6英寸導電型碳化硅襯底中試線；2020年12月~2021年12月，5萬片6英寸導電型碳化硅襯底片生產(chǎn)線。對比當下發(fā)展現(xiàn)狀，露笑科技既定目標基本實現(xiàn)。

 

露笑科技表示，公司預期2022年1月~2022年12月，完成10萬片6英寸導電型碳化硅襯底片生產(chǎn)線、外延片中試線、8英寸晶體生長研發(fā)；2023年~2024年，實現(xiàn)25萬片6英寸導電型碳化硅襯底生產(chǎn)線、10萬片6英寸外延片生產(chǎn)線、8英寸碳化硅晶體中試線。

 

總體而言，目前碳化硅行業(yè)景氣上升，我國企業(yè)紛紛加碼，助推國產(chǎn)替代的提早到來。