存儲器市場除了最為人熟知的內(nèi)存DRAM和閃存NAND FLASH、NOR FLASH外，近年來，能夠突破性能與技術(shù)瓶頸的第四代存儲器/新型存儲器，如PCM（相變存儲器）、FeRAM（鐵電存儲器）、MRAM(磁性存儲器)及ReRAM(阻變存儲器)逐漸受到市場的關(guān)注。而在四種新型存儲器中，ReRAM在密度、工藝制程、成本和良率上的優(yōu)勢使其備受企業(yè)和市場青睞。

 

日前，由昕原半導(dǎo)體（杭州）有限公司（以下簡稱“昕原半導(dǎo)體”）主導(dǎo)建設(shè)的大陸首條28/22nm ReRAM（阻變存儲器）12寸中試生產(chǎn)線順利完成了自主研發(fā)設(shè)備的裝機(jī)驗(yàn)收工作，實(shí)現(xiàn)了中試線工藝流程的通線，并成功流片（試生產(chǎn)）。

 

公開資料顯示，昕原半導(dǎo)體專注于ReRAM領(lǐng)域，是一家集核心技術(shù)、工藝制程、芯片設(shè)計(jì)、IP授權(quán)和生產(chǎn)服務(wù)于一體的新型IDM公司。該公司的核心產(chǎn)品覆蓋高工藝嵌入式存儲、高密度非易失性存儲、存內(nèi)計(jì)算及存內(nèi)搜索等多個領(lǐng)域。

 

早前在2021年4月，昕原半導(dǎo)體官方表示，業(yè)界首款28nm制程ReRAM芯片流片成功。據(jù)悉該芯片主要應(yīng)用于防偽認(rèn)證，也應(yīng)用于移動設(shè)備的各種配件、家電、電子煙等AIoT的廣大市場，且已與行業(yè)內(nèi)頭部廠商達(dá)成合作意向。

 

據(jù)悉，新型存儲器需要在傳統(tǒng)CMOS工藝?yán)镌黾右恍┨厥獾牟牧匣蚬に嚕@些特殊材料或工藝的開發(fā)則需要經(jīng)過大量實(shí)驗(yàn)及測試驗(yàn)證。而由于傳統(tǒng)CMOS代工廠受限于資源緊缺或迭代速度較慢，工藝開發(fā)速度大大減緩。此次昕原自行搭建的28/22nm ReRAM 12寸中試生產(chǎn)線使得ReRAM相關(guān)產(chǎn)品的快速實(shí)現(xiàn)變成了可能。

 

公開資料顯示，目前Crossbar、昕原半導(dǎo)體、松下、Adesto、Elpida、東芝、索尼、美光、海力士、富士通等廠商都在開展ReRAM的研究和生產(chǎn)，其中專注IP授權(quán)的Crossbar對于ReRAM的基礎(chǔ)技術(shù)研發(fā)走在了前列。