2月24日，晶盛機(jī)電（300316）發(fā)布公告稱：碳化硅作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，具有高禁帶寬度、高電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率等優(yōu)越物理特征。碳化硅襯底是寬禁帶半導(dǎo)體的核心材料，以其制作的器件具有耐高溫、耐高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點(diǎn)，具有開(kāi)關(guān)速度快、效率高的優(yōu)勢(shì)，可大幅降低產(chǎn)品功耗、提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積。主要應(yīng)用于以5G通信、航空航天為代表的射頻領(lǐng)域和以新能源汽車、“新基建”為代表的電力電子領(lǐng)域，具有明確且可觀的市場(chǎng)前景。
碳化硅襯底制作的技術(shù)門檻較高，良率低，成本較高制約其發(fā)展，導(dǎo)致行業(yè)的整體產(chǎn)能遠(yuǎn)不及市場(chǎng)需求。公司的技術(shù)優(yōu)勢(shì)主要體現(xiàn)在：
?、俪掷m(xù)的設(shè)備研發(fā)能力。公司是國(guó)內(nèi)晶體生長(zhǎng)設(shè)備龍頭，同時(shí)深耕半導(dǎo)體大硅片加工設(shè)備領(lǐng)域多年，公司的晶體生長(zhǎng)設(shè)備及加工設(shè)備均主要使用自研設(shè)備，公司不斷進(jìn)行調(diào)試、提升設(shè)備性能，促進(jìn)設(shè)備和工藝的高效融合。
?、谪S富的硬脆材料加工經(jīng)驗(yàn)。碳化硅與藍(lán)寶石在加工技術(shù)上具有較強(qiáng)的技術(shù)通用性。公司在硅和藍(lán)寶石材料的切割、研磨、拋光等關(guān)鍵設(shè)備上均有較強(qiáng)的技術(shù)基礎(chǔ)，已在半導(dǎo)體硅材料和藍(lán)寶石加工設(shè)備領(lǐng)域得到市場(chǎng)認(rèn)可。
?、鄢墒斓囊?guī)模化長(zhǎng)晶經(jīng)驗(yàn)。公司長(zhǎng)期圍繞硅、藍(lán)寶石和碳化硅三種晶體材料開(kāi)展業(yè)務(wù)，在熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、熱場(chǎng)仿真和工藝研發(fā)方面具有豐富的經(jīng)驗(yàn)。公司在藍(lán)寶石領(lǐng)域已具備上千爐臺(tái)集中控制的大規(guī)模生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn)優(yōu)勢(shì)，產(chǎn)品具有優(yōu)良的品質(zhì)穩(wěn)定性和低成本優(yōu)勢(shì)，可移植到碳化硅襯底材料的生產(chǎn)中。
?、苤饕夹g(shù)指標(biāo)達(dá)到或優(yōu)于業(yè)內(nèi)技術(shù)水平。目前公司中試線產(chǎn)出的6英寸碳化硅襯底在直徑、多型面積、電阻率、彎曲度和翹曲度均達(dá)到業(yè)內(nèi)指標(biāo)范圍，襯底片總厚度變化率（TTV）可穩(wěn)定達(dá)到＜3μm，微管密度（MPD）可穩(wěn)定達(dá)到<0.2/cm2，達(dá)到或者優(yōu)于業(yè)內(nèi)技術(shù)水平。
