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云南鍺業(yè):以大直徑低位錯密度鍺、砷化鎵、磷化銦、碳化硅單晶材料制備及其應用為重點研究方向

日期:2022-03-18 來源:半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:262
核心提示:近日,云南鍺業(yè)在投資者互動平臺上表示,公司與中科院半導體所成立了聯(lián)合實驗室,主要以大直徑低位錯密度鍺、砷化鎵、磷化銦、碳
近日,云南鍺業(yè)在投資者互動平臺上表示,公司與中科院半導體所成立了聯(lián)合實驗室,主要以大直徑低位錯密度鍺、砷化鎵、磷化銦、碳化硅單晶材料制備及其應用為重點研究方向,深入開展鍺、砷化鎵、磷化銦、碳化硅單晶材料生長制備技術(shù)、材料物性檢測分析、光電子微電子器件研發(fā)等應用技術(shù)等方面的研究。
 
此外,關(guān)于6英寸砷化鎵晶片,公司正在對原有的部分產(chǎn)能進行改造,力圖實現(xiàn)6英寸砷化鎵晶片的量產(chǎn)能力,目前正在接受客戶的認證,待認證完成后,公司會根據(jù)實時市場情況確定改造規(guī)模。
 
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