日前，普冉半導(dǎo)體（上海）股份有限公司（以下簡稱“普冉股份”）披露公司的新產(chǎn)品及技術(shù)研發(fā)進(jìn)展情況。

 

據(jù)披露，普冉股份采用電荷俘獲的SONOS工藝結(jié)構(gòu)40nm工藝節(jié)點(diǎn)下的NOR Flash全系列產(chǎn)品研發(fā)完成并成為量產(chǎn)交付主力，晶圓良率達(dá)到95%以上，實(shí)現(xiàn)了對公司原有55nm工藝節(jié)點(diǎn)下的NOR Flash產(chǎn)品的升級替代，產(chǎn)品競爭力及晶圓產(chǎn)出率有效提升。其中L系列64Mb NOR Flash產(chǎn)品完成海外手機(jī)頭部廠商TWS藍(lán)牙耳機(jī)認(rèn)證。技術(shù)儲備的40nm以下新一代工藝完成試流片，進(jìn)入產(chǎn)品和工藝優(yōu)化階段。

 

普冉股份采用浮柵ETOX工藝結(jié)構(gòu)NOR Flash中大容量PY系列產(chǎn)品首顆開始量產(chǎn)出貨，應(yīng)用于可穿戴和安防等市場。車載EEPROM產(chǎn)品完成了AEC-Q100標(biāo)準(zhǔn)的全面考核，首先在車身攝像頭和車載中控應(yīng)用上實(shí)現(xiàn)了海外客戶的批量交付。超大容量EEPROM系列開發(fā)完成，F(xiàn)系列產(chǎn)品支持SPI/I2C接口和最大4Mb容量，其中2Mb產(chǎn)品批量應(yīng)用于高速寬帶通信和數(shù)據(jù)中心領(lǐng)域。與代工廠戰(zhàn)略合作開發(fā)的浮柵下一代技術(shù)進(jìn)入測試芯片開發(fā)階段。

 

另外，普冉股份新一代128Kb至512Kb攝像頭模組EEPROM產(chǎn)品應(yīng)用于海外手機(jī)頭部廠商旗艦機(jī)型，已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。支持下一代手機(jī)主控平臺的1.2V攝像頭模組EEPROML系列的128Kb產(chǎn)品率先進(jìn)入市場，完成平臺認(rèn)證，并小批量交付首個(gè)手機(jī)客戶項(xiàng)目。

 

針對“存儲+”戰(zhàn)略布局推進(jìn)情況，普冉股份披露稱，模擬產(chǎn)品方向上，內(nèi)置非易失存儲器的PE系列音圈馬達(dá)驅(qū)動芯片產(chǎn)品進(jìn)入大批量供貨。支持下一代主控平臺的1.2VPD系列音圈馬達(dá)驅(qū)動芯片產(chǎn)品完成開發(fā)、流片和測試，性能指標(biāo)均符合規(guī)范要求，產(chǎn)品進(jìn)入客戶送樣階段。微控制器方向上，首顆32位微控制器芯片產(chǎn)品功能和性能測試通過，進(jìn)入客戶送樣階段。