近日，半導(dǎo)體功率器件廠商安建半導(dǎo)體獲1.8億元B輪融資，本輪融資由超越摩爾投資領(lǐng)投，弘鼎資本、龍鼎投資、聯(lián)和資本、君盛投資和金建誠投資跟投。
本輪募集資金將主要用于高、低壓MOS和IGBT全系列產(chǎn)品開發(fā)、第三代半導(dǎo)體SiC器件開發(fā)和IGBT模塊封測廠建設(shè)。
官網(wǎng)顯示，安建科技有限公司 (JSAB Technologies Limited) 是一家專門從事功率半導(dǎo)體元器件產(chǎn)品設(shè)計、研發(fā)及銷售的高科技公司， 擁有由香港科技大學教授、大中華區(qū)唯一一位從事硅基功率半導(dǎo)體研究的美國電子電氣工程師學會院士（IEEE Fellow）所領(lǐng)銜的業(yè)內(nèi)頂尖技術(shù)團隊，在2020年中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽中榮獲全國賽優(yōu)秀企業(yè)獎、廣東省分賽區(qū)“新一代信息技術(shù)”產(chǎn)業(yè)大類第四名。
安建科技現(xiàn)有低電壓的SGT-MOSFET（分裂柵金屬氧化物場效應(yīng)晶體管）、高電壓的SJ-MOSFET（超結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)晶體管）、Field Stop Trench IGBT（絕緣柵雙極晶體管）三條成熟的產(chǎn)品線。高電壓產(chǎn)品主要應(yīng)用于高鐵、電動汽車、新能源、工業(yè)控制等領(lǐng)域；低電壓產(chǎn)品主要應(yīng)用于5G基站、電能轉(zhuǎn)換、綠色家電、消費電子等領(lǐng)域，安建科技的功率芯片得到了國內(nèi)多家應(yīng)用客戶的認可，目前已經(jīng)在眾多領(lǐng)域穩(wěn)定運行。
目前安建半導(dǎo)體的產(chǎn)品線已經(jīng)涵蓋大部分MOS管和IGBT產(chǎn)品，其中已有三條產(chǎn)品線實現(xiàn)量產(chǎn)，分別是低電壓的SGT-MOS管（屏蔽柵金屬氧化物場效應(yīng)晶體管）、高電壓的SJ-MOS管（超結(jié)金屬氧化物場效應(yīng)晶體管）、Field Stop Trench IGBT（場截止溝槽型絕緣柵雙極晶體管），產(chǎn)品均具有高性能高可靠性。
未來，安建半導(dǎo)體還將針對不同應(yīng)用場景還將繼續(xù)開發(fā)不同性能和不同規(guī)格的產(chǎn)品，實現(xiàn)功率器件所有電壓和電流全覆蓋，完成做全系列高低壓MOS管和IGBT產(chǎn)品的目標。同時，安建半導(dǎo)體還計劃推出車規(guī)級產(chǎn)品，目前正在與上海汽車商談戰(zhàn)略合作，研發(fā)應(yīng)用于其新能車的IGBT產(chǎn)品。
安建半導(dǎo)體還希望打通制造環(huán)節(jié)，計劃在未來組建模塊制造廠，采用一種虛擬IDM模式，再和晶圓制造廠做綁定合作。
