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金沙江半導體與西北大學物理學科高性能計算中心正式簽約

日期:2022-04-01 來源:半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:496
核心提示:金沙江半導體與西北大學物理學科高性能計算中心正式簽約,雙方將致力于推進GaN IDC電源在微模塊數(shù)據(jù)中心能效性能研究項目。
半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息:3月31日,金沙江半導體與西北大學物理學科高性能計算中心正式簽約,雙方將致力于推進GaN IDC電源在微模塊數(shù)據(jù)中心能效性能研究項目。
 
深圳前沿科技研發(fā)有限公司總經(jīng)理閔軍輝、西北大學物理學院朱海燕教授和周波教授出席簽約儀式。由于疫情原因,中國通信學會副秘書長歐陽武,徐州金沙江半導體有限公司總經(jīng)理陳振和中國科學院電工研究所張伯駒研究員以視頻方式致辭,并見證項目簽約。

▲深圳前沿科技研發(fā)有限公司總經(jīng)理閔軍輝與西北大學物理學院周波教授現(xiàn)場簽約
 
據(jù)了解,金沙江半導體是中國領(lǐng)先的氮化鎵芯片應(yīng)用、研發(fā)和生產(chǎn)企業(yè)。通過本地化供應(yīng)鏈,促進快充、IDC電源和電動汽車功率芯片的快速發(fā)展,致力于利用先進科技實現(xiàn)全球碳中和的使命。本次簽約的GaN IDC電源在微模塊數(shù)據(jù)中心能效性能研究項目,金沙江半導體作為甲方實體單位,中國科學院電工研究所張伯駒研究員為項目技術(shù)開發(fā)主要負責人。
 
氮化鎵功率半導體的全球領(lǐng)導者GaN Systems公司和徐州金沙江半導體近期曾聯(lián)合宣布,在互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心(IDC)領(lǐng)域,首次成功開展氮化鎵(GaN)電源應(yīng)用的現(xiàn)場試驗,這是GaN在IDC電力基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域普及進程的重要里程碑。該項測試,正是在西北大學物理學科高性能計算中心展開,并將在全國范圍選擇更多的數(shù)據(jù)中心和超算中心進行合作和推進。
 
參與測試的電源是在北京設(shè)計,運用了GaN Systems公司和徐州金沙江半導體公司的技術(shù)和芯片。測試得到了宏光半導體和深圳前沿科技研發(fā)公司的大力支持。經(jīng)理論推算,50%負載下新電源模塊的能源效率大約為98%,比傳統(tǒng)硅基功率半導體電源的能源效率提高4個百分點。獨此一項,可以降低數(shù)據(jù)中心的總能耗10個百分點。如果配合推進數(shù)據(jù)中心UPS電源及制冷系統(tǒng)的電源替代,節(jié)能效果有望達到20%。
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