半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：據(jù)臺(tái)灣媒體報(bào)道，晶圓代工龍頭臺(tái)積電位于臺(tái)灣竹科寶山二期的2nm晶圓廠Fab 20建廠計(jì)劃已正式啟動(dòng)。竹科管理局局長(zhǎng)王永壯20日表示，竹科管理局已將部分用地租予臺(tái)積電，臺(tái)積電將可展開(kāi)整地作業(yè)，估計(jì)最晚將于6月取得所有用地。另外，世界先進(jìn)評(píng)估興建12吋廠且有意進(jìn)駐銅鑼園區(qū)設(shè)廠，王永壯表示待環(huán)差案通過(guò)將進(jìn)行用地分配。

 

王永壯表示，竹科寶山二期擴(kuò)建計(jì)劃進(jìn)展順利，經(jīng)過(guò)幾十次溝通，已有超過(guò)九成的地主同意價(jià)購(gòu)征收，新竹縣政府將于4月底公告征收，估計(jì)最晚將于6月取得所有用地。同時(shí)，管理局3月已將部分用地租予臺(tái)積電，臺(tái)積電可以展開(kāi)整地作業(yè)。

 

臺(tái)積電此前已確定將在竹科寶山二期興建Fab 20超大型晶圓廠，未來(lái)在此生產(chǎn)2nm。

 

設(shè)備業(yè)者指出，臺(tái)積電Fab 20廠區(qū)將分為第一期到第四期、共興建4座12吋晶圓廠，預(yù)計(jì)2024年下半年進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2025年進(jìn)入量產(chǎn)。

據(jù)悉，臺(tái)積電將會(huì)在2nm工藝上采用GAA FET(全環(huán)繞柵極晶體管)，取代finFET (鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)。目前三星為了和臺(tái)積電競(jìng)爭(zhēng)，做法比較激進(jìn)，將會(huì)在3nm工藝就用上GAA技術(shù)。而臺(tái)積電為了提供給客戶最成熟的技術(shù)、最好的效能及最佳的成本，保守的選擇finFET技術(shù)生產(chǎn)3nm工藝芯片。

 

臺(tái)積電2nm之后的更先進(jìn)制程將進(jìn)入埃米（angstorm）時(shí)代，業(yè)界預(yù)期，臺(tái)積電后續(xù)將推進(jìn)到18埃米（1.8nm），但尚未決定設(shè)廠地點(diǎn)。設(shè)備業(yè)者評(píng)估，臺(tái)積電2nm需求強(qiáng)度若優(yōu)于預(yù)期，竹科用地不足，將可能轉(zhuǎn)赴臺(tái)中建立2nm及18埃米等先進(jìn)制程晶圓廠，中科二期用地已納入考慮。

 

臺(tái)積電去年進(jìn)入2nm N2制程技術(shù)的開(kāi)發(fā)階段，著重于測(cè)試載具設(shè)計(jì)與實(shí)作、光罩制作及硅試產(chǎn)等，主要進(jìn)展在于提升基礎(chǔ)制程設(shè)定、晶體管與導(dǎo)線性能。在光刻技術(shù)部份，臺(tái)積電研發(fā)組織藉由提升晶圓良率達(dá)到可靠影像以支持3nm試產(chǎn)，并提升極紫外光（EUV）的應(yīng)用、降低材料缺陷與增進(jìn)平坦化的能力，以支持2nm技術(shù)的開(kāi)發(fā)。