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全球首條8英寸碳化硅外延晶片生產(chǎn)線計劃今年動工,預(yù)計2025年竣工并投產(chǎn)

日期:2022-04-21 閱讀:548
核心提示:全球首條8英寸碳化硅外延晶片生產(chǎn)線計劃今年動工,預(yù)計2025年竣工并投產(chǎn)
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:近日,東莞松山湖高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會進行了《東莞市生態(tài)園2022年度土地征收成片開發(fā)方案》(以下簡稱《方案》)批前公示。《方案》顯示,東莞擬征收地塊面積 6.316 公頃,后續(xù)將用于保障東莞市天域半導(dǎo)體科技有限公司半導(dǎo)體項目的落地。
 
 
據(jù)披露,項目計劃購置94.7畝用地建設(shè)天域半導(dǎo)體碳化硅外延材料研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目,用于碳化硅外延關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā)及全球首條8英寸碳化硅外延晶片生產(chǎn)線的建設(shè)。項目主要內(nèi)容為新增產(chǎn)能達100萬片/年的6英寸/8英寸碳化硅外延晶片生產(chǎn)線;8英寸碳化硅外延晶片產(chǎn)業(yè)化關(guān)鍵技術(shù)的研發(fā);6英寸/8英寸碳化硅外延晶片的生產(chǎn)和銷售。

此外,《方案》顯示,天域半導(dǎo)體是國內(nèi)首家專業(yè)從事第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅(SiC)外延晶片研發(fā)、設(shè)計、制造與銷售的國家級高新技術(shù)企業(yè),且在松山湖已耕耘超過 10 年,2010年,天域半導(dǎo)體與中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所合作,共同創(chuàng)建了碳化硅研究所,成為全球碳化硅外延晶片的主要生產(chǎn)商之一。目前公司國內(nèi)主要客戶有:株洲中車、國家電網(wǎng)、美國 X-FAB、華潤微電子、泰科天潤、上海積塔、香港 APS、比亞迪等國際知名企業(yè),以及數(shù)十家國內(nèi)知名的大學(xué)、研究所、設(shè)計公司;海外芯片客戶也逐步拓展,包括:日本日立和羅姆、美國德州儀器(X-Fab)和德國英飛凌等。
 
項目計劃自投產(chǎn)之年起,研發(fā)人員占比不低于15%,2年內(nèi)引進人才不低于200名,其中引進本科及以上人員占員工總數(shù)不低于60%,碩士及以上人員占員工總數(shù)不低于10%;每年度研發(fā)投入比例不低于5%。
 
項目計劃2022年動工,預(yù)計2025年竣工并投產(chǎn),項目建設(shè)完成投產(chǎn)后預(yù)計2025年可實現(xiàn)年營收8.7億元、年納稅3400萬元;項目預(yù)計2028年全面達產(chǎn)后可實現(xiàn)年營收84.7億元、2028年-2031年每年營收可達80~110億元。2028年抵扣完前期投資的進項增值稅額后,2029年到2031年三年內(nèi),每年可穩(wěn)定繳納稅款4億元。
 
該項目核心產(chǎn)品SiC外延片是第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈重要環(huán)節(jié),屬于高精尖產(chǎn)業(yè),天域半導(dǎo)體是SiC外延片領(lǐng)域國內(nèi)領(lǐng)先的廠家之一,正利用該項目對其產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)進一步鞏固,緊跟國際SiC前沿技術(shù)前進的步伐。
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