半導體產業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，比亞迪半導體發(fā)布光伏逆變專用IGBT，T型拓撲結構BG80T12G10S5模塊和I型拓撲結構模塊BG150I07N10H5模塊。

光伏逆變器的“心臟”——IGBT模塊

在“碳達峰”“碳中和”背景下，太陽能、風能、熱能、生物能等可再生能源的規(guī)模化應用成為世界能源發(fā)展的必然趨勢。在眾多發(fā)電技術中，太陽能光伏發(fā)電是綠色環(huán)保概念中的重要發(fā)電方式之一，而光伏逆變器是太陽能光伏發(fā)電的核心設備,光伏逆變器的性能可以影響整個光伏系統(tǒng)的平穩(wěn)性、發(fā)電效率和使用年限。

 

隨著光伏裝機容量的持續(xù)增長，市場對IGBT的需求也迅速攀升。據(jù)公開資料顯示，光伏逆變器的性能可以影響整個光伏系統(tǒng)的平穩(wěn)性、發(fā)電效率和使用年限。而在逆變電路中，都需使用IGBT等具有開關特性的半導體功率器件，控制各個功率器件輪流導通和關斷，再經(jīng)由變壓器藕合升壓或降壓，最終實現(xiàn)直流轉交流的轉換。因此，IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為光伏逆變器的核心元器件，在光伏等領域的應用極為廣泛。

 

 

比亞迪半導體憑借在車規(guī)級IGBT領域近二十年的技術沉淀，針對光伏逆變IGBT也進行前瞻布局和大力開發(fā)。自2013年參與比亞迪集團太陽能光伏逆變模塊項目，至今已與業(yè)內多家知名企業(yè)合作開發(fā)光伏逆變模塊并成功應用，期間積累了豐富的光伏逆變IGBT模塊開發(fā)經(jīng)驗。比亞迪半導體全面布局及開拓光伏市場 ，于2021年成功開發(fā)出T型拓撲結構BG80T12G10S5模塊和I型拓撲結構模塊BG150I07N10H5模塊。

 

該兩款IGBT模塊采用光伏逆變市場的典型應用拓撲，模塊結構緊湊、性能高效，適用于各類光伏逆變器，如光伏逆變和儲能等。與行業(yè)同類產品相比，溫升更低、可靠性更高。

圖片BG80T12G10S5模塊實拍圖

圖片BG80T12G10S5模塊拓撲結構圖

 

 

BG150I07N10H5模塊實拍圖

 

 

BG150I07N10H5模塊拓撲結構圖

 

針對不同的應用領域，IGBT也展現(xiàn)出不同的技術特點。光伏IGBT對于可靠性的要求非常高，新能源發(fā)電輸出的電能需要通過光伏逆變器將整流后的直流電逆變?yōu)榉想娋W(wǎng)要求的交流電后輸入電網(wǎng)，這種線路需要將IGBT模塊性能用到極致，所以對IGBT芯片也提出了更高的可靠性要求。

 

比亞迪半導體T型拓撲結構BG80T12G10S5模塊和I型拓撲結構模塊BG150I07N10H5，主要有以下特性：

 

 

1結構緊湊，封裝體積小

 

2采用DBC工藝

 

3采用比亞迪半導體IGBT5.0技術的低損耗IGBT

 

4低寄生電感設計

 

5耐沖擊能力

 

6Pin針工藝

 

 

光伏逆變IGBT模塊參數(shù)

 

 

為形成完善的產業(yè)鏈布局，構建自主可控的技術基礎，比亞迪半導體于 2005 年組建 IGBT 團隊，于2007 年組建 IGBT 模塊生產線，經(jīng)過近二十年的技術積累和應用實踐，比亞迪半導體IGBT 芯片設計能力、 晶圓制造工藝和模塊封裝技術持續(xù)迭代升級，被廣泛應用于新能源汽車、光伏、工控等領域。基于對下游應用需求的深刻理解和在相關領域深厚的技術積累，公司還先后開發(fā)了IGBT、IPM、 SiC 器件等功率半導體產品，多個產品性能指標達到行業(yè)領先水平。

 

比亞迪半導體IGBT 已經(jīng)歷多次技術迭代升級，在減小模塊尺寸、提高輸出功率、降低功率損失方面將持續(xù)不斷優(yōu)化。

 

未來，隨著比亞迪半導體在光伏領域的持續(xù)發(fā)力，IGBT優(yōu)越的性能、高可靠性、優(yōu)秀的產品競爭力，必將為新能源產業(yè)高質量發(fā)展提供推動力，助力實現(xiàn)“雙碳”目標！