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華潤(rùn)微:在第三代半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得產(chǎn)業(yè)化顯著突破

日期:2022-05-13 來(lái)源:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)閱讀:303
核心提示:5月13日,華潤(rùn)微舉行2021年度暨2022年第一季度業(yè)績(jī)暨現(xiàn)金分紅說(shuō)明會(huì)。
5月13日,華潤(rùn)微舉行2021年度暨2022年第一季度業(yè)績(jī)暨現(xiàn)金分紅說(shuō)明會(huì)。
 
公司執(zhí)行董事、總裁李虹稱,2021年公司功率器件事業(yè)群在第三代化合物半導(dǎo)體器件領(lǐng)域取得技術(shù)和產(chǎn)業(yè)化的顯著突破,自主研發(fā)的新一代SiC JBS器件產(chǎn)品在充電樁、太陽(yáng)能逆變器、通信電源等工控領(lǐng)域獲得客戶端廣泛認(rèn)可,2021年度銷售收入實(shí)現(xiàn)突破性增長(zhǎng)。
 
與此同時(shí),華潤(rùn)微自主研發(fā)的平面型1200V SiC MOSFET進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)量產(chǎn)階段;自主研發(fā)的第一代650V硅基氮化鎵D-mode器件樣品靜態(tài)參數(shù)達(dá)到國(guó)外對(duì)標(biāo)水平,進(jìn)入轉(zhuǎn)量產(chǎn)階段;自主研發(fā)的第一代650V硅基氮化鎵E-mode器件性能達(dá)標(biāo),器件封裝開發(fā)完成。
 
此外,李虹還表示,華潤(rùn)微2022年IGBT業(yè)務(wù)的目標(biāo)仍然是保持高速增長(zhǎng),預(yù)計(jì)增速將超過(guò)去年同期。  
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