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晶盛機電積布局長晶、切片、拋光、CVD環(huán)節(jié)設(shè)備研發(fā),碳化硅外延設(shè)備已實現(xiàn)批量銷售

日期:2022-05-18 閱讀:800
核心提示:晶盛機電積極布局“長晶、切片、拋光、CVD”四大核心環(huán)節(jié)設(shè)備的研發(fā),在半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)化突破。公司通過承擔國家科技重大專項“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”項目的“300mm硅單晶直拉生長裝備的開發(fā)”和“8英寸區(qū)熔硅單晶爐國產(chǎn)設(shè)備研制”兩項課題,實現(xiàn)集成電路12英寸半導(dǎo)體長晶爐的量產(chǎn)突破。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:近日,晶盛機電在2021年度網(wǎng)上業(yè)績說明會時表示,截至2022年3月31日,公司未完成設(shè)備合同總計222.37億元,其中未完成半導(dǎo)體設(shè)備合同13.43億元(以上合同金額均含增值稅)。
 
據(jù)悉,晶盛機電積極布局“長晶、切片、拋光、CVD”四大核心環(huán)節(jié)設(shè)備的研發(fā),在半導(dǎo)體關(guān)鍵設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)國產(chǎn)化突破。公司通過承擔國家科技重大專項“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”項目的“300mm硅單晶直拉生長裝備的開發(fā)”和“8英寸區(qū)熔硅單晶爐國產(chǎn)設(shè)備研制”兩項課題,實現(xiàn)集成電路12英寸半導(dǎo)體長晶爐的量產(chǎn)突破。
 
晶盛機電經(jīng)過多年的科研攻關(guān)和技術(shù)創(chuàng)新,已掌握了單晶硅生長全自動控制技術(shù)、熱場仿真技術(shù)、金剛線切片、研磨、雙面拋光、單面拋光、邊緣拋光等多項先進技術(shù),成功開發(fā)了6-8英寸用晶體滾磨機、截斷機、切片機、雙面研磨機、邊緣拋光機、單面拋光機、外延生長、LPCVD等設(shè)備并形成銷售;同時成功開發(fā)了12英寸用晶體滾圓磨機、截斷機、雙面研磨機、邊緣拋光機、雙面拋光機、最終拋光機等設(shè)備。
 
在半導(dǎo)體8-12英寸大硅片設(shè)備領(lǐng)域,晶盛機電產(chǎn)品在晶體生長、切片、拋光、外延等環(huán)節(jié)已基本實現(xiàn)8英寸設(shè)備的全覆蓋,12英寸長晶、切片、研磨、拋光等設(shè)備也已實現(xiàn)批量銷售,產(chǎn)品質(zhì)量已達到國際先進水平。公司將繼續(xù)鞏固晶體生長設(shè)備領(lǐng)域技術(shù)和規(guī)模優(yōu)勢,創(chuàng)造技術(shù)護城河,推動新產(chǎn)品迭代,提升對產(chǎn)業(yè)發(fā)展的引領(lǐng)能力,進一步延伸產(chǎn)品體系,在晶體生長、切片、拋光及CVD四大關(guān)鍵環(huán)節(jié)設(shè)備布局,實現(xiàn)設(shè)備競爭力國內(nèi)領(lǐng)先,高端市場占有率第一。
 
在碳化硅領(lǐng)域,晶盛機電的產(chǎn)品主要有碳化硅長晶、拋光、外延設(shè)備以及6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底片。繼實驗室成功長出6英寸碳化硅晶體后,公司建立6英寸及以上尺寸碳化硅材料研發(fā)實驗線,目前研發(fā)產(chǎn)品已通過部分下游客戶驗證。同時,公司碳化硅外延設(shè)備已通過客戶驗證,并實現(xiàn)批量銷售。
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