半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉，東部高科副會(huì)長(zhǎng)Chang-sik Choi在最近舉行的韓國(guó)半導(dǎo)體顯示技術(shù)學(xué)會(huì)20周年紀(jì)念活動(dòng)上表示，公司計(jì)劃在位于忠清北道的8英寸晶圓廠建設(shè)新一代功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線，目標(biāo)是在2025年生產(chǎn)并向成品汽車(chē)供應(yīng)首款1200伏 SiC MOSFET。
據(jù)ETNews報(bào)道，東部高科目前正在測(cè)試和生產(chǎn)6英寸功率半導(dǎo)體，該項(xiàng)目被韓國(guó)工業(yè)通商資源部選為8英寸SiC MOSFET量產(chǎn)基地建設(shè)項(xiàng)目。Chang-sik Choi強(qiáng)調(diào)說(shuō)：“生產(chǎn)日程有可能會(huì)提前。”“正在積累6英寸功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)技術(shù)。”
