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新啟動共建8家聯(lián)合研發(fā)中心!蘇州工業(yè)園區(qū)推動第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新集群建設(shè)

日期:2022-06-27 閱讀:747
核心提示:6月25日,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心發(fā)展戰(zhàn)略研討會暨第一屆專家委員會年會在獨(dú)墅湖畔舉行。
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:6月25日,國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心發(fā)展戰(zhàn)略研討會暨第一屆專家委員會年會在獨(dú)墅湖畔舉行。為期兩天的會議中,國內(nèi)第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域頂尖技術(shù)和產(chǎn)業(yè)專家,系統(tǒng)謀劃、共同探討如何持續(xù)提升產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新能力和國際競爭力。現(xiàn)場,第三代半導(dǎo)體8個細(xì)分領(lǐng)域的聯(lián)合研發(fā)中心同時成立。
 
據(jù)了解,面向關(guān)鍵技術(shù)攻關(guān)方向,新啟動共建8家聯(lián)合研發(fā)中心,分別為:氮化鎵同質(zhì)外延技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、氮化鎵功率微波技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、微顯示巨集成技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、硅基氮化鎵材料聯(lián)合研發(fā)中心、寬帶通信濾波器芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、碳化硅車用大功率MOSFET芯片技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、微顯示Led技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心、超高分辨率Micro-LED顯示技術(shù)聯(lián)合研發(fā)中心等。
 
第三代半導(dǎo)體是全球半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的熱點(diǎn)。2006年起,園區(qū)就開始在該產(chǎn)業(yè)上布局。經(jīng)過十幾年的發(fā)力,已成為國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)資源集聚度最高、產(chǎn)業(yè)化程度最好的區(qū)域之一。目前,園區(qū)已擁有產(chǎn)業(yè)上下游企業(yè)53家,形成了以“設(shè)備輔材-襯底外延-器件”為核心、以“下游應(yīng)用”為支撐的完整的產(chǎn)業(yè)鏈,并吸引10余位國家級重點(diǎn)人才在園區(qū)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)。同時,還建設(shè)了加工平臺、測試分析平臺、封裝平臺等一批公共服務(wù)平臺。
 
去年3月,國家科技部批復(fù)支持在園區(qū)建設(shè)國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心。一年多來,這一國家級平臺交出了一份驕人的成績單:引進(jìn)院士團(tuán)隊3個、高層次人才近20人,組建了激光顯示等3個領(lǐng)域核心攻關(guān)團(tuán)隊;材料生長平臺、測試分析平臺能力全面提升,服務(wù)企業(yè)及科研院所超百家;實施省級以上重點(diǎn)研發(fā)計劃3項,部分關(guān)鍵共性技術(shù)指標(biāo)取得突破性進(jìn)展;與高校院所、科技企業(yè)合作設(shè)立聯(lián)合研發(fā)中心9個,聚焦國家戰(zhàn)略需求開展協(xié)同攻關(guān);成立3億元天使基金,舉辦了一系列學(xué)術(shù)活動,為產(chǎn)學(xué)研合作和科創(chuàng)成果轉(zhuǎn)化提供有力支撐。
 
同時,國創(chuàng)中心已組建由六十余名頂尖專家組成的第一屆技術(shù)專家委員會,會議現(xiàn)場為部分專家頒發(fā)聘書。蘇州納米科技發(fā)展有限公司與荷塘創(chuàng)業(yè)投資管理(北京)有限公司簽約成立蘇州荷塘創(chuàng)芯基金,今后將以“金融活水”為產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展注入強(qiáng)動力。(來源:蘇州工業(yè)園區(qū))
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