報告顯示，公司主要從事高端半導(dǎo)體設(shè)備及泛半導(dǎo)體設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。公司瞄準世界科技前沿，基于在半導(dǎo)體設(shè)備制造產(chǎn)業(yè)多年積累的專業(yè)技術(shù)，涉足半導(dǎo)體集成電路制造、先進封裝、LED外延片生產(chǎn)、功率器件、MEMS制造以及其他微觀工藝的高端設(shè)備領(lǐng)域。公司的等離子體刻蝕設(shè)備已應(yīng)用在國際一線客戶從65納米到14納米、7納米和5納米及更先進的集成電路加工制造生產(chǎn)線及先進封裝生產(chǎn)線。公司MOCVD設(shè)備在行業(yè)領(lǐng)先客戶的生產(chǎn)線上大規(guī)模投入量產(chǎn)，公司已成為世界排名前列的氮化鎵基 LED設(shè)備制造商。公司主要為集成電路、LED 外延片、功率器件、MEMS 等半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造企業(yè)提供刻蝕設(shè)備、MOCVD 設(shè)備及其他設(shè)備2022年6月底，公司設(shè)備累計付運臺數(shù)達2654個反應(yīng)臺，在客戶73條生產(chǎn)線全面量產(chǎn)。

 

在邏輯集成電路制造環(huán)節(jié)，公司開發(fā)的 12 英寸高端刻蝕設(shè)備已運用在國內(nèi)外知名客戶 65 納米到 5 納米及更先進的芯片生產(chǎn)線上；同時，公司根據(jù)先進集成電路廠商的需求，已開發(fā)出 5 納米及更先進刻蝕設(shè)備用于若干關(guān)鍵步驟的加工，并已獲得行業(yè)領(lǐng)先客戶的批量訂單。公司目前正在配合客戶需求，開發(fā)新一代刻蝕設(shè)備和包括大馬士革在內(nèi)的刻蝕工藝，能夠涵蓋 5 納米以下更多刻蝕需求和更多不同關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)備。

 

在 3D NAND 芯片制造環(huán)節(jié)，公司的電容性等離子體刻蝕設(shè)備可應(yīng)用于 64 層、128 層及更高層數(shù) NAND 的量產(chǎn)，同時公司根據(jù)存儲器廠商的需求正在開發(fā)新一代能夠涵蓋 200 層以上極高深寬比的關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用以及其他關(guān)鍵刻蝕應(yīng)用的刻蝕設(shè)備和工藝。此外，公司的電感性等離子刻蝕設(shè)備已經(jīng)在多個邏輯芯片和存儲芯片廠商的生產(chǎn)線上量產(chǎn)，根據(jù)客戶的技術(shù)發(fā)展需求，正在進行下一代產(chǎn)品的技術(shù)研發(fā)，以滿足 5 納米以下的邏輯芯片、1X 納米的 DRAM 芯片和 200 層以上的 3D NAND 芯片等產(chǎn)品的刻蝕需求，并進行高產(chǎn)出的電感性等離子刻蝕設(shè)備的研發(fā)。
 

公司的 MOCVD 設(shè)備 Prismo D-Blue®、Prismo A7®能分別實現(xiàn)單腔 14 片 4 英寸和單腔 34 片4 英寸外延片加工能力。公司的 Prismo A7®設(shè)備已在全球氮化鎵基 LED MOCVD 市場中占據(jù)領(lǐng)先地位。公司研發(fā)了用于制造深紫外光 LED 的高溫 MOCVD 設(shè)備 Prismo HiT3®，已在行業(yè)領(lǐng)先客戶端用于深紫外 LED 的生產(chǎn)驗證并獲得重復(fù)訂單；用于 Mini LED 生產(chǎn)的 MOCVD 設(shè)備Prismo UniMax®，實現(xiàn)了單腔 41 片 4 英寸外延芯片加工能力，發(fā)光波長的均勻性達到 1s 0.8

納米。該設(shè)備已在領(lǐng)先客戶端開始進行規(guī)模生產(chǎn)，并取得 180 臺的客戶訂單；制造硅基氮化鎵功率器件用 MOCVD 設(shè)備已在客戶芯片生產(chǎn)線上驗證；此外，制造 Micro LED 應(yīng)用的新型MOCVD 設(shè)備以及用于碳化硅功率器件應(yīng)用的外延設(shè)備等也正在開發(fā)中。
 

公司所開發(fā)的 LPCVD 設(shè)備具有創(chuàng)新的設(shè)計，獨立的知識產(chǎn)權(quán)和優(yōu)秀的階梯覆蓋率和填充能力，能夠滿足先進邏輯器件接觸孔填充應(yīng)用，以及 64 層、128 層和 200 層以上 3D NAND 中的多個關(guān)鍵應(yīng)用，目前已通過關(guān)鍵客戶的工藝驗證，并積極推進設(shè)備在客戶產(chǎn)線進行量產(chǎn)驗證。公司還在持續(xù)研發(fā)新的填充工藝方案，以滿足更高深寬比接觸孔及溝道電極的需求。公司的原子層沉積設(shè)備的研發(fā)也在積極推進中，所開發(fā)的設(shè)備能夠滿足先進存儲器件和邏輯器件金屬阻擋層的

應(yīng)用，以及先進邏輯器件中金屬柵極的應(yīng)用。
 

面向 28 納米及以下的邏輯器件、存儲器件和功率器件等的廣泛應(yīng)用，公司正在開發(fā)擁有自主知識產(chǎn)權(quán)的外延設(shè)備（EPI），以滿足客戶先進制程中鍺硅外延生長工藝的電性和可靠性需求。產(chǎn)品有極其創(chuàng)新的外延反應(yīng)器設(shè)計，能夠?qū)崿F(xiàn)最佳的氣流場均勻性和高溫加熱均勻性，也有獨特的預(yù)清潔反應(yīng)器設(shè)計，能夠達到極佳的表面清潔效果。目前該設(shè)備研發(fā)進展順利，已進入樣機的制造和調(diào)試階段。