以碳化硅、氮化鎵、砷化鎵和磷化銦為代表的化合物半導(dǎo)體材料，相比第一代單質(zhì)半導(dǎo)體，在高頻性能、高溫性能方面優(yōu)異很多，發(fā)展前景廣闊。其中，以GaN、SiC為代表的半導(dǎo)體材料由于具備禁帶寬度大、臨界電場高、電子飽和速率高等優(yōu)勢，被廣泛應(yīng)用到汽車電力電子、5G射頻、光通信和探測器等領(lǐng)域。
隨著化合物半導(dǎo)體器件的日益普及和廣泛應(yīng)用，化合物半導(dǎo)體封裝和模塊將向著低損耗、低感量、高功率密度、高散熱性能、高集成度、多功能等方向發(fā)展，未來將衍生出與硅基封裝技術(shù)和產(chǎn)品形式不同的發(fā)展路線，先進(jìn)封裝材料、可靠性技術(shù)都在不斷的發(fā)展提升。
封裝是功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中不可或缺的一環(huán)，主要起著安放、固定、密封、保護(hù)芯片，以及確保電路性能和熱性能等作用。采用合理的封裝結(jié)構(gòu)、合適的封裝材料，以及先進(jìn)的封裝工藝技術(shù)，可以獲得良好的散熱性能，確保高電壓、大電流的功率器件的正常使用，并能在工作環(huán)境下穩(wěn)定可靠地工作。此外，封裝對于功率器件乃至整個系統(tǒng)的小型化、高度集成化及多功能化起著關(guān)鍵的作用。為了提高功率半導(dǎo)體器件的性能，必然會對封裝提出更高的要求。
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時間 |
議題 |
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（緊急延期，后續(xù)待定） |
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09:00-09:55 |
簽到 |
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09:55-10:00 |
嘉賓致辭 |
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10:00-10:20 |
化合物半導(dǎo)體功率器件及封裝技術(shù)現(xiàn)在及應(yīng)用分析 |
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10:20-10:40 |
內(nèi)絕緣TO-220封裝碳化硅肖特基二級管技術(shù) |
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10:40-11:00 |
氮化鎵微波功率器件的研究與應(yīng)用 |
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11:00-11:20 |
單雙面銀燒結(jié)技術(shù)在SIC功率模塊封裝中的應(yīng)用 |
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11:20-11:40 |
GaN高電子遷移率晶體管技術(shù) |
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11:40-12:00 |
SiC MOSFET結(jié)溫檢測方法研究 |
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12:00-13:30 |
展區(qū)參觀、交流，午餐 |
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13:30-13:50 |
VCSEL器件技術(shù)進(jìn)展及其在數(shù)據(jù)中心與汽車激光雷達(dá)中的應(yīng)用 |
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13:50-14:10 |
高壓功率器件封裝絕緣問題及面臨的調(diào)整 |
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14:10-14:30 |
萬伏級4H-SiC基IGBT器件技術(shù) |
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14:30-14:50 |
第三代半導(dǎo)體裝備：從器件制造到性能表征 |
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14:50-15:10 |
高可靠性功率系統(tǒng)集成的發(fā)展和挑戰(zhàn) |
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15:10-15:30 |
第三代半導(dǎo)體器件封裝用陶瓷基板技術(shù)研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化 |
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15:30-15:50 |
車規(guī)級功率器件先進(jìn)封裝材料及可靠性優(yōu)化設(shè)計 |
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15:50-16:10 |
用于功率器件的關(guān)鍵設(shè)備技術(shù)/等離子去膠設(shè)備技術(shù) |
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（緊急延期，后續(xù)待定） |
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10:00-10:20 |
先進(jìn)GaAs/InP半導(dǎo)體激光器及封裝（TBD） |
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10:20-10:40 |
半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)國產(chǎn)化 |
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10:40-11:00 |
用于新能源汽車的先進(jìn)功率器件的挑戰(zhàn)與優(yōu)化思路 博世/芯聚能/比亞迪/派恩杰 |
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11:00-11:20 |
面向?qū)捊麕О雽?dǎo)體器件的高空間/時間分辨率晶圓級熱表征技術(shù)進(jìn)展 |
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11:20-11:40 |
8寸硅基氮化鎵功率器件產(chǎn)業(yè)化進(jìn)展 |
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11:40-12:00 |
第三代半導(dǎo)體功率器件可靠性測試方法和實(shí)現(xiàn) |
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