然而，近年來氮化鎵卻憑借著其高頻高效的性能一次次在新應(yīng)用上實現(xiàn)突破，刷新大眾認知。

 

作為第三代半導(dǎo)體材料的杰出代表，氮化鎵功率芯片能夠使充電器具備充電效率高、散熱快、體積小巧等明顯優(yōu)勢，近兩年來在快充賽道上的火爆程度不言而喻。各智能手機廠商瘋狂“內(nèi)卷”，“秒充”、“極速充”、“閃充”等技術(shù)相繼涌現(xiàn)，并成為各大品牌廠商的核心賣點之一。隨著快充應(yīng)用的滲透，氮化鎵在其他領(lǐng)域中也逐漸嶄露頭角。

 

不久前，安克聯(lián)合英諾賽科和南芯獨家首發(fā)全氮化鎵技術(shù)，應(yīng)用在安克最新的GaN Prime?家族產(chǎn)品的充電器上。這項技術(shù)首次在AC和DC端同時采用了英諾賽科功率芯片，充分利用氮化鎵高頻高效的優(yōu)勢，使產(chǎn)品的系統(tǒng)功率密度和效率達到全新高度。

 

如今，氮化鎵材料已不僅僅應(yīng)用于消費電子電源適配器領(lǐng)域，日前這一產(chǎn)品亦在手機端在加速滲透。

 

今年7月，在realme發(fā)布會上， realme副總裁徐起向大眾展示了全球首個內(nèi)置GaN充電保護的手機——真我GT2大師探索版，創(chuàng)新性地將英諾賽科氮化鎵芯片引入手機端，大大節(jié)省手機內(nèi)部空間，降低發(fā)熱峰值，使手機在充電過程中更高效，更安全。此前，Oppo 閃充之父張家亮也在插拔大會UFCS技術(shù)研討會上全面展示了英諾賽科的這一氮化鎵芯片。

 

“氮化鎵已經(jīng)在消費類領(lǐng)域充分顯示出發(fā)展?jié)摿Γ贿^這也僅僅是一個開始。”英諾賽科首席營銷官馮雷博士此前在接受媒體采訪時如是說。

 

 

據(jù)英諾賽科總監(jiān)蔡定輝介紹，采用英諾賽科氮化鎵器件的LED電源已經(jīng)成功在客戶端實現(xiàn)量產(chǎn)， 其中包含60W、120W 和 150W LED 電源。以120W的LED 驅(qū)動電源為例，與傳統(tǒng)的Si 方案相比，采用GaN方案能夠使LED電源開關(guān)頻率提升1.5倍以上，體積縮小50%，效率提升超過1%。創(chuàng)新氮化鎵方案有望引領(lǐng)LED驅(qū)動電源行業(yè)升級換代，助力全球碳達峰。

 

而在車載激光雷達應(yīng)用上，英諾賽科也與超過5家激光雷達廠商深入合作，并實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。據(jù)英諾賽科首席營銷官馮雷博士表示， GaN是激光雷達的剛需，Si和SiC都沒辦法解決它快速開關(guān)的要求。激光雷達是GaN進入汽車領(lǐng)域的第一個應(yīng)用場景。

 

并且有行業(yè)指出，GaN的性能優(yōu)點有助于將車載電池充電器的尺寸縮小25%，將牽引逆變器的功率損耗減少70%以上，同時以更輕巧的DC-DC轉(zhuǎn)換器將功率轉(zhuǎn)換損耗減半。在較低的滲透水平上，汽車DC-DC轉(zhuǎn)換器和OBC將成為預(yù)測期內(nèi)下一波增長點。據(jù)悉，英諾賽科(珠海)公司已經(jīng)在2021年通過了IATF16949認證，并在國內(nèi)和韓國都跟大型Tier 1客戶有聯(lián)合研發(fā)項目。

 

“基于GaN開發(fā)下一代數(shù)據(jù)中心供電系統(tǒng)是大勢所趨。” 在8月17日的IIC 國際集成電路展覽會暨研討會上，英諾賽科產(chǎn)品開發(fā)部高級總監(jiān)黃勇表示，“英諾賽科能夠提供全鏈路GaN解決方案，涵蓋AC-DC(PFC)、DC-DC(400V-48V)、DC-DC(48V-12V)、DC-DC(12V-1V)，實現(xiàn)更高的效率、更高功率密度、更高的動態(tài)響應(yīng)。

 

據(jù)介紹，數(shù)據(jù)中心從前端到DC/DC到芯片的供電架構(gòu)采用全鏈路氮化鎵方案，預(yù)計可將整體效率提升5%。如果2030年數(shù)據(jù)中心的能耗是3萬億千瓦時，5%的提升相當于節(jié)省了1.5個三峽電站的電能，無論從經(jīng)濟效應(yīng)還是碳中和、碳達峰的社會可持續(xù)發(fā)展而言，都有巨大的價值。

 

 

隨著應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴展，氮化鎵在智能手機、筆記本、數(shù)據(jù)中心、無人機、新能源汽車、電網(wǎng)、儲能等眾多新興領(lǐng)域都將帶來革命性的解決方案。但機遇與挑戰(zhàn)并存，目前氮化鎵在快充等領(lǐng)域，已經(jīng)證明了它的巨大優(yōu)勢，但還遠未完全釋放潛力。更進一步發(fā)揮氮化鎵的優(yōu)勢，需要包括驅(qū)動、控制器、磁性元件、封裝等上下游產(chǎn)業(yè)生態(tài)鏈的協(xié)作，團結(jié)合作才能共贏。

 

英諾賽科作為全球領(lǐng)先的氮化鎵IDM企業(yè)，始終致力于產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展，對內(nèi)持續(xù)以技術(shù)創(chuàng)新為源動力，堅持全球化布局戰(zhàn)略，向更高功率應(yīng)用市場擴張。對外正積極與GaN產(chǎn)業(yè)鏈上下游廠商聯(lián)合，以把握好數(shù)字化的浪潮，協(xié)同攻關(guān)GaN產(chǎn)業(yè)難題，推動GaN滲透更多應(yīng)用市場，賦能綠色轉(zhuǎn)型，助力低碳發(fā)展。

 

英諾賽科擁有全球領(lǐng)先的8英寸氮化鎵制造工藝，能夠為客戶提供30V-650V的高、低壓氮化鎵芯片和全氮化鎵解決方案，截至目前，英諾賽科已經(jīng)實現(xiàn)超過一億顆氮化鎵芯片的出貨量，有望在今年實現(xiàn)全球出貨量第一。英諾賽科也正積極與從消費到工業(yè)到汽車等方向的全球主流應(yīng)用廠商展開合作，希望給產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來新的思路和突破。