這家僅有12歲的年輕企業(yè)，攻克了領(lǐng)域內(nèi)多項(xiàng)關(guān)鍵核心技術(shù)，取得460余項(xiàng)核心專利，獲評國家級專精特新“小巨人”企業(yè)、制造業(yè)單項(xiàng)冠軍示范企業(yè)。國際知名行業(yè)咨詢機(jī)構(gòu)YOLE報(bào)告顯示，天岳先進(jìn)半絕緣型碳化硅襯底市場占有率連續(xù)三年位居全球前三。

 

碳化硅襯底以其制作的器件具有耐高溫、抗高壓、高頻、大功率、抗輻射等特點(diǎn)，在新能源汽車、軌道交通、光伏發(fā)電等領(lǐng)域應(yīng)用廣闊。在天岳先進(jìn)展廳內(nèi)，公司黨委書記竇文濤告訴記者，他們解決了碳化硅材料生長、襯底加工等一系列難題，實(shí)現(xiàn)在碳化硅領(lǐng)域的突破。

 

在元素周期表中，碳和硅的組合可以產(chǎn)生200多種晶型，而最適合半導(dǎo)體使用的4H單晶體生長難度最大。在碳化硅晶體生長爐內(nèi)，溫度高達(dá)2300度。“最開始時(shí)，開爐就像開盲盒，能不能拿到4H單晶體全憑運(yùn)氣。開一爐需要很長時(shí)間，拿到我們想要的數(shù)據(jù)需要數(shù)次試驗(yàn)，時(shí)間不等人。”竇文濤說，公司在不斷增加設(shè)備的過程中，還實(shí)現(xiàn)了設(shè)備的自主研發(fā)，改變了高端半導(dǎo)體設(shè)備依賴進(jìn)口的局面。

 

襯底直徑是衡量晶體制備水平的重要指標(biāo)之一。“我們最初的產(chǎn)品是2英寸襯底，從2英寸到8英寸，我們用了10年。”竇文濤告訴記者，擴(kuò)徑并不是簡單從2到3，而是從2.1、2.2開始，而且每一次擴(kuò)徑意味著從設(shè)計(jì)到加工全流程的提升。

 

2015年，天岳先進(jìn)4英寸碳化硅襯底投入生產(chǎn)，隨后的幾年里，公司通過自主創(chuàng)新，研發(fā)出半絕緣型碳化硅襯底產(chǎn)品，實(shí)現(xiàn)從0到1的突破。

 

今年6月，天岳先進(jìn)6英寸導(dǎo)電型襯底開始大批量供貨，并與下游客戶簽署了總額為13.93億元的3年供貨合同。竇文濤說，天岳先進(jìn)將持續(xù)加大8英寸導(dǎo)電型襯底產(chǎn)業(yè)化力度。

 

“碳化硅半導(dǎo)體材料生長溫度高，影響因素多，技術(shù)迭代周期相對較長。”竇文濤介紹，他們將采用AI技術(shù)、數(shù)字孿生技術(shù)，打造出數(shù)字化工廠，通過數(shù)字工廠和實(shí)體工廠聯(lián)動，壓縮技術(shù)迭代時(shí)間，提高研發(fā)速度。

 

天岳先進(jìn)還將依托國家地方聯(lián)合工程研究中心、國家博士后科研工作站等多個(gè)研發(fā)平臺，為研發(fā)團(tuán)隊(duì)的技術(shù)創(chuàng)新和人才培養(yǎng)提供有力支撐，并持續(xù)加大研發(fā)投入。“我們是一個(gè)典型的創(chuàng)新型企業(yè)，創(chuàng)造性地將研發(fā)分為基礎(chǔ)研究、工程化和產(chǎn)業(yè)化三個(gè)層面。”天岳先進(jìn)董事長宗艷民表示，堅(jiān)持科技創(chuàng)新是企業(yè)不變的追求，今年上半年，公司研發(fā)投入占營業(yè)收入的比例為33%。來源：大眾日報(bào)