國(guó)際碳化硅及相關(guān)材料會(huì)議ICSCRM（The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials）是以碳化硅為代表的寬禁帶半導(dǎo)體以及相關(guān)材料、器件的產(chǎn)業(yè)與學(xué)術(shù)并重的高水平國(guó)際論壇。9月16日，ICSCRM 2022在瑞士達(dá)沃斯圓滿落幕，天岳先進(jìn)參加會(huì)議并就8英寸碳化硅襯底最新研發(fā)情況作出匯報(bào)。
（晶型拉曼圖譜檢測(cè)報(bào)告）
襯底直徑是衡量晶體制備水平的重要指標(biāo)之一，天岳先進(jìn)較早布局了8英寸產(chǎn)品的研發(fā)，是國(guó)內(nèi)最早研發(fā)和布局產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)之一。目前公司8英寸碳化硅襯底研發(fā)進(jìn)展順利，晶型均一穩(wěn)定，具有良好的結(jié)晶質(zhì)量。
有別于單晶硅等材料在生長(zhǎng)過(guò)程中可以擴(kuò)徑的特點(diǎn)，碳化硅襯底材料的擴(kuò)徑需要先制備大尺寸籽晶，并且需要對(duì)缺陷和應(yīng)力分布等進(jìn)行嚴(yán)格控制。天岳先進(jìn)從籽晶入手，在粉料合成、熱場(chǎng)設(shè)計(jì)、工藝固化、過(guò)程控制、加工檢測(cè)等全流程實(shí)現(xiàn)技術(shù)自主可控。
公司持續(xù)加大8英寸導(dǎo)電型襯底產(chǎn)業(yè)化突破。在前期自主擴(kuò)徑實(shí)現(xiàn)8英寸產(chǎn)品研發(fā)成功的基礎(chǔ)上，將繼續(xù)加大技術(shù)和工藝突破，并根據(jù)市場(chǎng)需求，積極布局產(chǎn)業(yè)化。
（來(lái)源：天岳先進(jìn)）
（來(lái)源：天岳先進(jìn)）
