士蘭微（600460）(600460.SH)公告，近期，廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司(“士蘭明鎵”)SiC功率器件生產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項(xiàng)參數(shù)指標(biāo)達(dá)到設(shè)計(jì)要求，項(xiàng)目取得了階段性進(jìn)展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝、調(diào)試，目標(biāo)是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。

公告顯示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，參數(shù)指標(biāo)較好，繼續(xù)完成評測，即將向客戶送樣。

據(jù)悉，作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，SiC具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，是高溫、高壓、大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體器件材料。在新能源汽車領(lǐng)域，SiC功率半導(dǎo)體主要用于驅(qū)動和控制電機(jī)的逆變器、車載DC/DC轉(zhuǎn)換器、車載充電器(OBC)等。車載充電器和充電樁使用SiC器件后將充分發(fā)揮高頻、高溫和高壓三方面的優(yōu)勢，可實(shí)現(xiàn)充電系統(tǒng)高效化、小型化和高可靠性。