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瞻芯電子1200V大電流MOSFET獲車規(guī)級認(rèn)證

日期:2022-11-09 閱讀:405
核心提示:瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101),該產(chǎn)品為TO247-4封裝,最大電流(Ids)可達(dá)111A。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊:11月2日,瞻芯電子開發(fā)的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通過了車規(guī)級可靠性認(rèn)證(AEC-Q101),該產(chǎn)品為TO247-4封裝,最大電流(Ids)可達(dá)111A。

這款SiC MOSFET是專為汽車電子而設(shè)計(jì)的高可靠性、高品質(zhì)和高性能器件,具有高耐壓、大電流、低導(dǎo)通電阻等特點(diǎn),最大電流(Ids)為111A@25℃,工作溫度范圍是-55℃-175℃,非常適合新能源汽車主電機(jī)驅(qū)動,能顯著提高主驅(qū)系統(tǒng)的功率密度,減少磁性組件體積和重量,簡化電路設(shè)計(jì),從而顯著減少系統(tǒng)總成本。

值得一提的是,這款TO247-4封裝的產(chǎn)品通過AEC-Q101認(rèn)證,同時表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片,也滿足車規(guī)級可靠性標(biāo)準(zhǔn)。該晶圓正面還可以采用鎳鈀金,如下圖,支持雙面散熱封裝,可進(jìn)一步突破傳統(tǒng)單面封裝的功率密度極限。

分立器件的車規(guī)級可靠性認(rèn)證,主要參照AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),約有 23項(xiàng)測試內(nèi)容,其中多項(xiàng)要求在高溫、高濕度等惡劣環(huán)境下,通過 1000 小時的嚴(yán)格測試后仍可正常工作,這表明產(chǎn)品能適應(yīng)復(fù)雜惡劣的車載應(yīng)用環(huán)境。

面向車載應(yīng)用市場,瞻芯電子已開發(fā)了一系列按車用標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SiC MOSFET,SiC SBD和柵極驅(qū)動芯片產(chǎn)品,如下表,其中標(biāo)藍(lán)色的5款產(chǎn)品已通過車規(guī)級可靠性認(rèn)證,還有部分產(chǎn)品大批量“上車”應(yīng)用。

 

 

此外,在近期上海集成電路行業(yè)協(xié)會發(fā)布的《長三角汽車電子芯片產(chǎn)品手冊(2022年)》中,有3款瞻芯電子開發(fā)的車規(guī)級產(chǎn)品被收錄,包括:IV1Q12080T3Z, IV1D12040U3Z, IVCR1402DPQR。該手冊征集共收集了69家企業(yè)、13個大類符合車規(guī)級要求的215款產(chǎn)品。

關(guān)于瞻芯電子

上海瞻芯電子科技有限公司是一家聚焦于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體領(lǐng)域的高科技芯片公司,2017年成立于上海臨港,致力于開發(fā)碳化硅(SiC)功率器件、驅(qū)動和控制芯片、碳化硅(SiC)功率模塊產(chǎn)品,并圍繞碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體應(yīng)用,為客戶提供一站式(Turn-key)芯片解決方案。

瞻芯電子是中國第一家自主開發(fā)并掌握6英寸SiC MOSFET產(chǎn)品以及工藝平臺的公司,建成了一座按車規(guī)級標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的SiC晶圓廠,將持續(xù)創(chuàng)新,放眼世界,致力于打造中國領(lǐng)先、國際一流的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體和芯片解決方案提供商。

 

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