半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：11月15日，在第三屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國(guó)際會(huì)議暨首屆第三代半導(dǎo)體徐州金龍湖峰會(huì)上，天科合達(dá)現(xiàn)場(chǎng)發(fā)布8英寸導(dǎo)電碳化硅襯底晶片。

8英寸導(dǎo)電碳化硅襯底晶片由北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司生產(chǎn)，主要應(yīng)用新能源汽車、光伏等領(lǐng)域。該公司副總經(jīng)理、技術(shù)總監(jiān)劉春俊介紹，在碳化硅器件各環(huán)節(jié)中，襯底占成本的近50%。襯底尺寸越大，單位襯底可制造的芯片數(shù)量越多，單位芯片成本越低，8英寸襯底晶片產(chǎn)品比6英寸產(chǎn)品可多切近90%的芯片，邊緣浪費(fèi)降低7%。

天科合達(dá)8英寸新產(chǎn)品發(fā)布會(huì)得到了第三代半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛關(guān)注。作為碳化硅襯底國(guó)內(nèi)的龍頭企業(yè)，天科合達(dá)不斷突破大尺寸、高質(zhì)量碳化硅的關(guān)鍵制備技術(shù)，引領(lǐng)了國(guó)內(nèi)碳化硅襯底的產(chǎn)業(yè)化。天科合達(dá)副總經(jīng)理、技術(shù)總監(jiān)劉春俊在會(huì)議上公布了8英寸產(chǎn)品的關(guān)鍵實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)。根據(jù)劉春俊博士的報(bào)告，天科合達(dá)8英寸導(dǎo)電型碳化硅產(chǎn)品的多項(xiàng)指標(biāo)均處于行業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平，已經(jīng)達(dá)到了量產(chǎn)標(biāo)準(zhǔn)。并且，透露了將8英寸的小規(guī)模量產(chǎn)定在2023年。

天科合達(dá)這次發(fā)布的產(chǎn)品主要指標(biāo)如下：

1）碳化硅晶錠直徑達(dá)到209毫米；

2）拉曼光譜測(cè)試數(shù)據(jù)表明，8英寸碳化硅晶片100%面積為4H晶型；

3）XRD三點(diǎn)搖擺曲線數(shù)據(jù)表明，半高寬小于20arcsec；

4）8英寸產(chǎn)品微管密度＜0.1/cm2，僅在晶片邊緣存在極少量微管缺陷；

5）8英寸位錯(cuò)密度 EPD＜4000/cm2,TSD能達(dá)到100/cm2以下，BPD能達(dá)到200/cm2以下，位錯(cuò)密度整體處于國(guó)際領(lǐng)先水平。

徐州經(jīng)開(kāi)區(qū)堅(jiān)持把半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為重點(diǎn)發(fā)展的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)之一，近年來(lái)實(shí)現(xiàn)此前國(guó)內(nèi)空白的鑫華電子級(jí)多晶硅、鑫晶12英寸大硅片通線量產(chǎn)，中科智芯晶圓級(jí)先進(jìn)封裝、晶凱存儲(chǔ)芯片封裝模組等一批重大項(xiàng)目成功落地。今年前10個(gè)月，該產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)值87億元、同比增長(zhǎng)52%。徐州市委常委、經(jīng)開(kāi)區(qū)黨工委書(shū)記張克表示，經(jīng)開(kāi)區(qū)將加快推進(jìn)天科合達(dá)二期年產(chǎn)16萬(wàn)片碳化硅襯底晶片以及三期100萬(wàn)片外延片、華盛盈科碳化硅封測(cè)及模組等項(xiàng)目，支持中科漢韻碳化硅功率器件達(dá)產(chǎn)達(dá)效，全力構(gòu)建襯底、外延片、器件、封測(cè)等較為完備的第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。