11月22日，世界先進宣布，其領(lǐng)先的八英寸0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵制程（GaN-on-QST）已于客戶端完成首批產(chǎn)品系統(tǒng)及可靠性驗證，正式進入量產(chǎn)，為特殊集成電路制造服務領(lǐng)域首家量產(chǎn)此技術(shù)的公司。世界先進說明，公司的0.35微米650 V GaN-on-QST制程能與公司既有的八英寸硅晶圓機臺設(shè)備在開發(fā)與生產(chǎn)上相互配合使用，以達最佳生產(chǎn)效率及良率。

　　世界先進指出，2018年以Qromis基板技術(shù)（簡稱QST TM）進行八英寸QST基板的0.35微米650 V GaN-on-QST制程開發(fā)，于今年第一季開發(fā)完成，于第四季成功量產(chǎn)，世界先進同時已和海內(nèi)外整合元件制造（IDM）廠及IC設(shè)計公司展開合作。

 

　　QST 基板相較于以矽（Si）作為基板，具有與氮化鎵磊晶層更匹配的熱膨脹系數(shù)（CTE），在制程中堆疊氮化鎵的同時，也能降低翹曲（warpage）破片，更有利于實現(xiàn)量產(chǎn)。世界先進公司的 0.35 微米 650V GaN-on-QST 制程能與公司既有的八寸矽晶圓機臺設(shè)備在開發(fā)與生產(chǎn)上相互配合使用，以達最佳生產(chǎn)效率及良率。根據(jù)客戶端的系統(tǒng)驗證結(jié)果，世界先進公司提供的氮化鎵晶圓于快充市場的應用上，針對 65W 以上的快充產(chǎn)品，其系統(tǒng)效率已達世界領(lǐng)先的水準。此外，基于 QST 基板的良好散熱特性，在整體快充方案效能上，世界先進公司提供的氮化鎵晶圓具有更優(yōu)良的散熱表現(xiàn)。

 

　　世界先進公司營運長尉濟時博士表示：“世界先進公司身為特殊積體電路制造服務的領(lǐng)導廠商，不斷精進制程技術(shù)，以提供客戶最具效益的完整解決方案及高附加價值的服務。我們的 0.35 微米 650V GaN-on-QST 制程具備效能及可靠性優(yōu)勢，不僅提供客戶更優(yōu)化的積體電路設(shè)計選擇，亦協(xié)助提升客戶產(chǎn)品的競爭力。”

 

　　據(jù)悉，世界先進0.35微米650 V GaN-on-QST制程除了650 V的元件選擇外，也提供內(nèi)建靜電保護元件（ESD），客戶得以更便利的進行設(shè)計選擇。此外，該制程除具備更優(yōu)異的可靠性與信賴性，針對更高電壓（超過1000 V）的擴充性，世界先進也已經(jīng)與部分客戶展開合作，以滿足客戶的產(chǎn)品需求。