12月14日，賽微電子（300456）在特定對象調研時表示，今年以來，公司GaN(氮化鎵)業(yè)務團隊在材料和器件上均實現(xiàn)了技術突破，在GaN外延片方面，公司已具備6-8英寸GaN外延材料生長能力且技術成熟；在GaN器件設計方面，公司在技術、應用及需求方面也進行了迭代并實現(xiàn)銷售。目前的關鍵問題仍是產(chǎn)能供應端受限，公司也正在通過各種措施努力解決產(chǎn)能保障問題。一方面，公司繼續(xù)與境內外GaN代工廠商進行合作；另一方面，公司正在加緊推動山東GaN產(chǎn)線建設。公司氮化鎵設計及材料子公司聚能創(chuàng)芯以及氮化鎵制造參股子公司聚能國際正在推進融資相關工作。

針對MEM業(yè)務產(chǎn)能規(guī)劃情況，賽微電子提到，北京FAB3為量產(chǎn)線，總設計產(chǎn)能為3萬片/月，目前一期產(chǎn)能1萬片/月已接近建成，二期產(chǎn)能即2萬片/月產(chǎn)能的建設也在進行中；公司計劃、準備在北京及大灣區(qū)分別建設一條產(chǎn)能為3000片/月的中試線，相關投資事項正在談判過程中；同時計劃在北京建設一條產(chǎn)能為1萬片/月的MEMS先進封裝測試線。瑞典FAB1&2為中試線，產(chǎn)能為7000片/月。截至目前，北京FAB3已在諸多極具挑戰(zhàn)的工藝技術領域實現(xiàn)重大突破。

賽微電子表示，公司本身不會涉及MEMS設計領域，在MEMS產(chǎn)業(yè)鏈中將一如既往地保持純代工的角色。公司瑞典子公司Silex自2000年成立以來已運營MEMS業(yè)務近20年，在行業(yè)內樹立了不涉足芯片設計、無自有品牌、專注工藝開發(fā)及晶圓代工、嚴密保護知識產(chǎn)權的企業(yè)形象，最大程度地避免了因與客戶業(yè)務沖突導致出現(xiàn)知識產(chǎn)權侵權的道德及法律風險，增加了客戶的認同感及信任度。

據(jù)賽微電子介紹，在BAW濾波器方面，基于工藝及產(chǎn)能優(yōu)勢，北京FAB3已和國內領先的濾波器設計公司開展深度合作，代工產(chǎn)品覆蓋了WiFi2.4G和5G/6G應用領域，已有驗證合格的產(chǎn)品進入小批量生產(chǎn)階段，但部分客戶的產(chǎn)品存在消化庫存問題，量產(chǎn)節(jié)點延后，部分客戶則正在持續(xù)突破關鍵設計及工藝，正在推進試產(chǎn)及量產(chǎn)工作。

針對明年的資本支出情況，賽微電子表示，由于北京FAB3在今年已經(jīng)開始了二期產(chǎn)能的擴產(chǎn)投資，且德國FAB5的收購未能如愿，公司明年的資本支出相比今年可能會少一些，但預計也會在差不多的水平，最終情況如何還是受到多方面因素的影響，比如瑞典FAB1&2選擇繼續(xù)擴產(chǎn)還是通過其他方式擴產(chǎn)，境內南方中試線、北方中試線及封測線的具體建設節(jié)奏。從短期來看，公司資本支出仍將保持較高強度；從中長期來看，資本支出將持續(xù)發(fā)生，會在一定時點進入相對穩(wěn)定的水平，公司將綜合業(yè)務發(fā)展情況、自身資金狀況等因素統(tǒng)籌考慮安排。

（來源： 智通財經(jīng)）