為進(jìn)一步提升數(shù)據(jù)中心模塊電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、D類功率放大器、光伏逆變器及輕混電動(dòng)汽車等48V電源系統(tǒng)的整體性能，英諾賽科推出高集成半橋驅(qū)動(dòng)功率芯片：Solid GaN系列之100V半橋氮化鎵功率芯片新品—ISG3201。
ISG3201是一顆耐壓100V的半橋氮化鎵芯片，其內(nèi)部集成了2顆100V，導(dǎo)阻3.2mΩ的增強(qiáng)型氮化鎵和1顆100V半橋驅(qū)動(dòng)，憑借內(nèi)部集成驅(qū)動(dòng)器，省去了外部鉗位電路，能夠顯著降低關(guān)聯(lián)的寄生參數(shù)；同時(shí)，該芯片還具有獨(dú)立的高側(cè)和低側(cè)PWM信號輸入，并支持TTL電平驅(qū)動(dòng)，可由專用控制器或通用MCU進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制。
英諾賽科產(chǎn)品設(shè)計(jì)高級總監(jiān)田水林博士表示：“ISG320x系列產(chǎn)品是英諾賽科主推的100V高功率密度GaN系列模塊產(chǎn)品，該產(chǎn)品系列將半橋驅(qū)動(dòng)和兩顆GaN HEMT以及外圍元器件高度集成，大大簡化了電路設(shè)計(jì)。首發(fā)模塊產(chǎn)品ISG3201面積（5x6.5）僅略大于單顆標(biāo)準(zhǔn)5x6 Si器件，有效減小了PCB板面積。優(yōu)化的模塊引腳設(shè)計(jì)顯著減小了主功率寄生參數(shù)以及由此引起的電壓尖峰，進(jìn)一步提高了系統(tǒng)性能和可靠性。該系列產(chǎn)品是數(shù)據(jù)中心模塊電源，電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及D類功率放大器等48V電源系統(tǒng)的最佳選擇。”
ISG3201 產(chǎn)品特性
高集成半橋驅(qū)動(dòng)：2顆100V增強(qiáng)型氮化鎵及1顆100V半橋驅(qū)動(dòng)
耐壓100V，導(dǎo)通電阻3.2mΩ
60A持續(xù)電流能力
零反向恢復(fù)
5*6.5*1.08 mm封裝
ISG3201 產(chǎn)品優(yōu)勢
支持100V高邊電壓
集成驅(qū)動(dòng)簡化外圍電路
大幅降低柵極和功率回路寄生電感
減小占板面積73%（VS Si）
提升系統(tǒng)效率及功率密度
更大散熱面積，有效降低溫升
ISG3201 應(yīng)用領(lǐng)域
ISG3201簡化了低壓氮化鎵芯片在48V以及更低電壓系統(tǒng)中的應(yīng)用，可便捷搭配多種控制器，滿足多場景應(yīng)用需求，有效提升系統(tǒng)效率、降低系統(tǒng)能耗。
ISG3201現(xiàn)已進(jìn)入量產(chǎn)階段。
2023年，英諾賽科將繼續(xù)推出滿足更多應(yīng)用市場需求的ISG320x系列產(chǎn)品，進(jìn)一步拓寬氮化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域，引領(lǐng)第三代半導(dǎo)體行業(yè)生態(tài)鏈建設(shè)。
（來源：英諾賽科）
