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天科合達(dá)完成Pre-IPO輪融資,專注第三代半導(dǎo)體碳化硅晶片領(lǐng)域

日期:2023-02-13 閱讀:615
核心提示:近期,北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱天科合達(dá))完成Pre-IPO輪融資,投資方包括京銘資本體系京銘鴻瑞產(chǎn)業(yè)基金、歷金

 近期,北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱“天科合達(dá)”)完成Pre-IPO輪融資,投資方包括京銘資本體系京銘鴻瑞產(chǎn)業(yè)基金、歷金銘科產(chǎn)業(yè)基金以及青島匯鑄英才產(chǎn)業(yè)基金等。

天科合達(dá)成立于2006年,是一家從事第三代半導(dǎo)體碳化硅(SiC)晶片研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的國家級(jí)高新技術(shù)企業(yè)。目前擁有北京總部基地、北京研發(fā)中心和三家全資子公司,一家控股子公司,產(chǎn)業(yè)涵蓋碳化硅單晶爐制造、碳化硅單晶生長原料制備、碳化硅單晶襯底制備和碳化硅外延制備。

京銘資本消息顯示,天科合達(dá)從2020年開始開展8英寸導(dǎo)電型SiC單晶襯底的研發(fā)工作,經(jīng)過2年多技術(shù)攻關(guān),突破了8英寸晶體擴(kuò)徑生長和晶片加工等關(guān)鍵技術(shù)難題,成功制備出高品質(zhì)8英寸導(dǎo)電型SiC單晶襯底。

據(jù)介紹,天科合達(dá)目前產(chǎn)能正在不斷突破,北京二期和徐州二期也在進(jìn)一步規(guī)劃中,預(yù)計(jì)2025年底,6英寸有效年產(chǎn)能達(dá)到55萬片,6到8英寸,可根據(jù)實(shí)際需求進(jìn)行快速產(chǎn)能切換。

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