以金剛石、氧化鎵、氮化鋁、氮化硼、石墨烯等為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料與其他先進(jìn)電子材料具有更高的禁帶寬度、熱導(dǎo)率以及材料穩(wěn)定性，在新一代深紫外光電器件、高壓大功率電力電子器件等意義重大的應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著的優(yōu)勢和巨大的發(fā)展?jié)摿Γ苍絹碓降么驀鴥?nèi)外的重視。

由于具有載流子遷移率高、載流子飽和漂移速率大、擊穿場強(qiáng)大等性能，金剛石是研制大功率、高溫、高頻等高性能半導(dǎo)體器件的理想材料，被行業(yè)譽(yù)為“終極半導(dǎo)體材料”。想要實現(xiàn)芯片級金剛石的工業(yè)化，需要克服提高金剛石純度、制作大尺寸金剛石薄片等一系列系統(tǒng)性技術(shù)挑戰(zhàn)。氧化鎵在耐壓、電流、功率、損耗等維度都有其優(yōu)勢，大功率、高效率電子器件還處于實驗室階段的研發(fā)，在大規(guī)模實際應(yīng)用方面還有欠缺。中國已將氧化鎵列入“十四五重點研發(fā)計劃”。隨著技術(shù)的進(jìn)步，超寬禁帶材料會與寬禁帶半導(dǎo)體材料一起開拓更為廣闊的應(yīng)用市場。

2023年2月7-10日，開年盛會，第八屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第十九屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于蘇州凱賓斯基大酒店勝利召開 

本屆論壇是在國家科學(xué)技術(shù)部高新技術(shù)司、國家科學(xué)技術(shù)部國際合作司、國家工業(yè)與信息化部原材料工業(yè)司、 國家節(jié)能中心、國家新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展專家咨詢委員會、江蘇省科學(xué)技術(shù)廳、蘇州市科學(xué)技術(shù)局、蘇州工業(yè)園區(qū)管理委員會的大力支持下，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）、中關(guān)村半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟（CSA）、國家第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新中心（蘇州）聯(lián)合主辦。江蘇第三代半導(dǎo)體研究院、蘇州市第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新中心、蘇州納米科技發(fā)展有限公司、中國科學(xué)院蘇州納米技術(shù)與納米仿生研究所、北京麥肯橋新材料生產(chǎn)力促進(jìn)中心有限公司共同承辦。論壇還得到了來自國內(nèi)以及美國、日本、德國、瑞典、英國、意大利、波蘭、澳大利亞、新加坡等國家和地區(qū)近70家組織機(jī)構(gòu)、近90家行業(yè)代表性實力企業(yè)的支持。

期間，由牛津儀器科技（上海）有限公司、蘇州思體爾軟件科技有限公司、江蘇第三代半導(dǎo)體研究院協(xié)辦支持的“超寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件“分論壇如期召開。該技術(shù)分論壇備受行業(yè)關(guān)注，在上、下兩場中主題報告十分豐富，來自國內(nèi)外科研院所與代表企業(yè)的專家們帶來前沿報告，分享超寬禁帶及其他新型半導(dǎo)體材料與器件領(lǐng)域的最新進(jìn)展。 

西安電子科技大學(xué)副校長、教授張進(jìn)成做了題為“氧化鎵功率器件耐壓和功率優(yōu)值的研究”的主題報告

香港科技大學(xué)副教授黃文海做了題為“橫向和縱向β-Ga2O3功率MOSFET的十年進(jìn)展”的主題報告

中山大學(xué)佛山研究院院長，中山大學(xué)半導(dǎo)體照明材料及器件國家地方聯(lián)合工程實驗室主任、教授王鋼做了題為“新型寬禁帶壓電半導(dǎo)體材料ε-Ga2O3及其在射頻諧振器中的應(yīng)用”的主題報告

西安電子科技大學(xué)教授韓根全做了題為“氧化鎵異質(zhì)結(jié)功率晶體管”的主題報告

國家納米科學(xué)中心研究員,中科院納米標(biāo)準(zhǔn)與檢測重點實驗室副主任劉新風(fēng)做了題為“利用泵浦-探測瞬態(tài)反射顯微技術(shù)測定立方砷化硼的高雙極性遷移率”的主題報告

北京大學(xué)工學(xué)院特聘研究員宋柏做了題為“超高熱導(dǎo)率立方砷化硼和氮化硼晶體”的主題報告

中國科學(xué)院半導(dǎo)體所研究員張興旺做了題為“超寬禁帶六方氮化硼二維原子晶體及其光電器件”的主題報告

復(fù)旦大學(xué)微電子學(xué)院教授盧紅亮做了題為“Ga2O3光電二極管的可控制備及應(yīng)用“的主題報告

湖北大學(xué)教授何云斌帶來了MgO（100）作為異質(zhì)外延生長的載體高質(zhì)量的β-Ga2O3薄膜和相關(guān)高靈敏度日盲紫外光電探測器的研究進(jìn)展與成果。報告顯示，自驅(qū)動PD在Au和Al之間表現(xiàn)出整流行為電極，BaTiO3極化可以調(diào)節(jié)自驅(qū)動PD性能。 

南京大學(xué)的汪正鵬帶來了題為”NiO/Ga2O3異質(zhì)結(jié)二極管中深能級陷阱和載流子輸運(yùn)機(jī)制研究“的主題報告，報告分析了β-Ga2O3中陷阱的能級和空間分布，NiO/Ga2O3異質(zhì)結(jié)二極管中陷阱介導(dǎo)的雙極載流子輸運(yùn)。報告指出，β-Ga2O3中陷阱的空間分布已被揭示，因為E2和E2*是體陷阱，E3是近表面陷阱（<180nm）。溫度相關(guān)電流-電壓特性的定量建模表明，在前向亞閾值傳導(dǎo)區(qū)域中，由激活能為0.64eV的多數(shù)載流子陷阱態(tài)介導(dǎo)的改進(jìn)的Shockley Read Hall（SRH）復(fù)合主導(dǎo)了陷阱輔助隧穿過程。高反向偏壓下的泄漏機(jī)制由勢壘高度為0.75eV的β-Ga2O3體阱的Poole-Frenkel發(fā)射控制，這通過等溫電容瞬態(tài)光譜分析確定了能量水平為EC−0.75 eV的大多數(shù)體阱來支持。

哈爾濱工業(yè)大學(xué)教授朱嘉琦做了題為”單晶金剛石肖特基半導(dǎo)體器件研究“的主題報告

中國電科首席科學(xué)家、中國電科13所研究員、專用集成電路國家級重點實驗室常務(wù)副主任馮志紅做了題為”金剛石微波功率器件進(jìn)展“的主題報告

日本國立物質(zhì)材料研究所研究員廖梅勇做了題為”半導(dǎo)體金剛石n型電子器件和MEMS“的主題報告

西安電子科技大學(xué)教授張金風(fēng)帶來了題為”MPCVD法金剛石同質(zhì)外延生長及MOS器件技術(shù)”的主題報告，介紹了CVD金剛石的生長與表征，金剛石MOS器件的模擬、制備和表征的研究成果，報告指出，西電大學(xué)已經(jīng)實現(xiàn)了高純度晶體、高質(zhì)量厚晶體和英寸尺寸馬賽克晶片的生長，并且有少量供應(yīng)。為了將生長的板材變成實用的基材，中國的研究人員仍需在開發(fā)高效、高水平的金剛石拋光工藝，特別是大尺寸加工方面付出巨大努力。C-H金剛石MOSFET仍然是主流的金剛石電子器件結(jié)構(gòu)。低移動性限制了設(shè)備在頻率、靜態(tài)功耗和微波功率方面的性能。但黎明即將到來，將2DHG在C-H金剛石表面的遷移率提高幾倍，因此，類似GaN HEMT的開發(fā)方式可能用于金剛石MOSFET。西電大學(xué)制造了具有各種柵極電介質(zhì)、高頻器件、常閉器件和共源共柵逆變器的金剛石MOSFET，并取得了相當(dāng)好的性能。高性能金剛石FET的研究仍在進(jìn)行中。

大連理工大學(xué)副教授張赫之帶來了題為”在高Al組分AlGaO/藍(lán)寶石基板上生長高質(zhì)量β-Ga2O3厚膜的研究“的主題報告，報告介紹了高鋁組分AlGaO緩沖層的制備， AlGaO/sapphire基板快速異質(zhì)外延Ga2O3 的研究進(jìn)展與成果，研究展望了同質(zhì)襯底生長以及生長條件持續(xù)優(yōu)化，AlGaO/sapphire上生長(001)、(010) β-Ga2O3厚膜，碳還原法生長Sn摻雜β-Ga2O3厚膜，其他異質(zhì)襯底生長的研究（硅基，碳化硅）。

沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)副教授李曉航做了題為”面向柔性和垂直電子器件的外延氧化鎵薄膜“的主題報告

鄭州大學(xué)副教授楊珣做了題為”金剛石深紫外光電探測器研究“的主題報告

山東大學(xué)副教授穆文祥做了題為”β-Ga2O3單晶的體晶生長與性能“的主題報告

英國布里斯托大學(xué)新興技術(shù)系主任、教授Martin KUBALLUl 帶來了”trawide Bandgap Ga2O3 Technologies - Benefits of Heterogeneous Integration“的線上報告

蘇州思體爾軟件科技有限公司副總經(jīng)理付昊做了題為”超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵及金剛石的晶體生長模擬研究“的主題報告

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)周凱做了題為”基于表面電位的β-Ga2O3功率MOSFET緊湊模型“的主題報告

中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)周凱分享了基于表面電位的β-Ga2O3功率MOSFET緊湊模型的研究成果，報告結(jié)合表面電位模型、堆芯漏電流模型以及模型驗證和模型測試，介紹了最新研究成果。其中，根據(jù)失真理論，單音諧波平衡仿真結(jié)果證明了模型在小信號和大信號區(qū)域的正確行為。Gummel對稱性測試用于驗證模型的對稱性和連續(xù)性特征，并測試模型在漏-源對稱性方面的正確性。