2月9日，氮化鎵領先廠商晶通半導體（JTM）宣布，已于去年12月完成數(shù)千萬元人民幣天使+輪融資，投資方為半導體專業(yè)投資機構富華資本（GRC）。據(jù)悉，本輪融資將用于產品研發(fā)、市場團隊的擴張以及部分核心產品出貨。

晶通半導體是國內氮化鎵功率器件與驅動芯片廠商，擁有被行業(yè)專家評價為“使氮化鎵器件的性能大幅接近其理論極限”的技術，核心技術團隊具有中國與瑞士的科研背景，并在歐美原廠擁有超過15年全產業(yè)鏈經(jīng)驗。氮化鎵（GaN）被稱為第三代半導體材料，從快充器件到未來的工業(yè)電源、新能源汽車，氮化鎵市場接受度和行業(yè)景氣度正在提升。目前，晶通半導體主要面向工業(yè)電源、消費電子、車規(guī)級應用，擁有包括智能氮化鎵功率開關、硅基驅動芯片等多個產品線，合作方覆蓋消費類快充企業(yè)、儲能充電企業(yè)、汽車廠商等。

晶通半導體擁有優(yōu)秀的氮化鎵科研實力，公司核心技術成員均有海外理工名校的留學背景，曾就職于Power Integrations (PI)、英飛凌、德州儀器、意法半導體等化鎵廠商，擁有豐富的產業(yè)化經(jīng)驗。據(jù)悉，晶通半導體創(chuàng)始人兼CEO劉丹曾為功率驅動芯片設計公司PI、NXP高級芯片設計師、項目經(jīng)理，擁有15年芯片設計經(jīng)驗。聯(lián)合創(chuàng)始人兼CSO馬俊博士擁有十余年氮化鎵器件設計制備經(jīng)驗，曾在Nature Electronics、IEDM等期刊發(fā)表氮化鎵功率器件論文60余篇。此外，公司還在氮化鎵領域擁有數(shù)十項核心發(fā)明專利、集成電路布圖設計專利及實用新型專利。在技術路線上，晶通半導體是面向工業(yè)級、車規(guī)級應用，采取器件加驅動進行共同優(yōu)化的廠商。目前晶通半導體擁有三個主要產品線，均為基于氮化鎵的功率器件及驅動芯片。

富華資本合伙人周本宜表示：“晶通半導體是國內第三代半導體GaN產業(yè)的佼佼者，其核心團隊覆蓋模擬芯片設計、器件結構、制程工藝，除了具備國際級的研發(fā)創(chuàng)新能力，還有功率半導體模擬電路產品實現(xiàn)過程中，最不可或缺的數(shù)十年實務經(jīng)驗累積。富華資本很榮幸與晶通半導體共同合作，助力公司深化與半導體產業(yè)鏈及國際資源平臺的對接協(xié)同，期待晶通半導體把握時代機遇，未來引領數(shù)據(jù)中心、電動汽車、可再生能源系統(tǒng)、工業(yè)電機和消費電子產品行業(yè)的變革。”