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晶能微電子自研首款車規(guī)級(jí) IGBT 產(chǎn)品成功流片

日期:2023-03-16 閱讀:292
核心提示:吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布,其自主設(shè)計(jì)研發(fā)的首款車規(guī)級(jí) IGBT 產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求。該款 I

吉利科技旗下浙江晶能微電子近期宣布,其自主設(shè)計(jì)研發(fā)的首款車規(guī)級(jí) IGBT 產(chǎn)品成功流片。新款芯片各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求。

 

該款 IGBT 芯片采用第七代微溝槽柵和場(chǎng)截止技術(shù),通過優(yōu)化表面結(jié)構(gòu)和 FS 結(jié)構(gòu),兼具短路耐受同時(shí)實(shí)現(xiàn)更低的導(dǎo)通 / 開關(guān)損耗,功率密度增大約 35%,綜合性能指標(biāo)達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平。晶能與晶圓代工廠深度綁定,采用工藝共創(chuàng)方式持續(xù)提升芯片性能。

 

晶能表示,一輛典型的新能源汽車芯片用量超過 1200 顆。功率半導(dǎo)體占比接近 1/4。公司將圍繞動(dòng)力總成系統(tǒng)中的開發(fā)需求,不斷研制性能優(yōu)越的芯片和模塊產(chǎn)品。

 

IGBT 是現(xiàn)代電力電子中的主導(dǎo)型器件,被譽(yù)為電力電子行業(yè)里的 CPU。近期,也有行業(yè)開發(fā)者討論將 Si IGBT 和 SiC MOS 封裝在一起,形成混合并聯(lián)模塊的解決方案。未來,功率芯片和模塊的創(chuàng)新應(yīng)用場(chǎng)景會(huì)更加豐富。

 

晶能微電子是吉利科技集團(tuán)孵化的功率半導(dǎo)體公司,聚焦于 Si IGBT&SiC MOS 的研制與創(chuàng)新,發(fā)揮“芯片設(shè)計(jì) + 模塊制造 + 車規(guī)認(rèn)證”的綜合能力,為新能源汽車、電動(dòng)摩托車、光伏、儲(chǔ)能、新能源船舶等客戶提供性能優(yōu)越的功率產(chǎn)品和服務(wù)。

 

(來源:IT之家)

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