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鎵仁半導體完成數(shù)千萬天使輪融資,加速氧化鎵中試線研發(fā)等

日期:2023-04-04 閱讀:689
核心提示:鎵仁半導體宣布完成數(shù)千萬天使輪融資。本輪融資由藍馳創(chuàng)投領(lǐng)投,禹泉資本跟投。

 半導體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉:近日,鎵仁半導體宣布完成數(shù)千萬天使輪融資。本輪融資由藍馳創(chuàng)投領(lǐng)投,禹泉資本跟投。融資將用于強化團隊、加速氧化鎵襯底材料新方法及中試線研發(fā)。

藍馳創(chuàng)投消息顯示,杭州鎵仁半導體有限公司成立于2022年9月,是一家專注于氧化鎵等超寬禁帶半導體單晶襯底及外延材料研發(fā)、生產(chǎn)和銷售的科技型企業(yè)。公司開創(chuàng)了非導模法氧化鎵單晶生長新技術(shù),突破了國際市場對氧化鎵材料的壟斷,可提供具有完全自主知識產(chǎn)權(quán)的氧化鎵單晶襯底材料。公司創(chuàng)始團隊源自浙江大學硅材料國家重點實驗室和浙江大學杭州國際科創(chuàng)中心。目前,公司已形成一支以中科院院士為首席顧問的研發(fā)和生產(chǎn)團隊,將持續(xù)為我國電力電子等產(chǎn)業(yè)的發(fā)展提供材料保障。

高質(zhì)量、低成本的氧化鎵單晶襯底是整個產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵,目前全球只有一家公司可穩(wěn)定供貨。其采用的是導模法生產(chǎn)和制備氧化鎵襯底。然而由于導模法需要大量的銥金屬,氧化鎵晶圓價格高居不下;同時導模法存在大的溫度梯度,使得氧化鎵的質(zhì)量難以進一步提升,嚴重阻礙了其器件的迭代研發(fā)。鎵仁半導體開創(chuàng)了新的氧化鎵單晶生長技術(shù),在成本控制、尺寸放大、質(zhì)量提升以及智能制造等方面具有極其明顯優(yōu)勢,有望推動氧化鎵材料和器件產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

鎵仁半導體創(chuàng)始人張輝表示,由于對電力高效使用的迫切需求,我國功率器件及材料產(chǎn)業(yè)將迎來更加快速的發(fā)展。鎵仁半導體團隊經(jīng)過多年的攻關(guān),已掌握從設(shè)備開發(fā)、熱場設(shè)計、晶體生長、晶體加工、外延生長等全套的關(guān)鍵技術(shù),有望破解氧化鎵材料的“卡脖子”難題。

藍馳創(chuàng)投表示:“國內(nèi)新能源汽車、新型電力系統(tǒng)等領(lǐng)域的快速發(fā)展,對功率半導體材料和器件提出了越來越高的要求。而氧化鎵作為超寬禁帶半導體材料,其器件在高壓高功率場景具備良好表現(xiàn)和產(chǎn)業(yè)化前景。同時,氧化鎵的理論成本較低,有望成為未來高性價比功率半導體材料的首選。鎵仁半導體團隊具備多年半導體材料生長經(jīng)驗,已成為國內(nèi)氧化鎵領(lǐng)域的重要力量之一。藍馳創(chuàng)投相信,在楊德仁院士和張輝教授的領(lǐng)導下,鎵仁科技有望成為國內(nèi)氧化鎵領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè),進一步加強在寬禁帶半導體材料和器件領(lǐng)域的競爭優(yōu)勢。”

 

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