半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊：近日從官方渠道獲悉，紅旗研發(fā)總院新能源開發(fā)院功率電子開發(fā)部與中國電子科技集團(tuán)第55研究所聯(lián)合開發(fā)的紅旗首款全國產(chǎn)電驅(qū)用1200V塑封2in1碳化硅功率模塊A樣件試制完成，達(dá)成電驅(qū)用碳化硅功率半導(dǎo)體設(shè)計與生產(chǎn)全自主化、全國產(chǎn)化，打破了國際芯片壟斷，標(biāo)志著紅旗品牌引領(lǐng)行業(yè)向著自主掌控功率半導(dǎo)體核心技術(shù)邁出高質(zhì)量發(fā)展步伐，為當(dāng)前普遍缺貨的汽車半導(dǎo)體市場注入了一劑有力的強(qiáng)“芯”針。

1200V碳化硅晶圓

塑封2in1功率模塊A樣件

碳化硅功率半導(dǎo)體憑借其耐高壓、低損耗、耐高溫、高頻化等材料優(yōu)勢，成為實現(xiàn)新能源電驅(qū)系統(tǒng)行業(yè)領(lǐng)先的核心路徑。然而由于受制于技術(shù)壁壘，國內(nèi)電驅(qū)用碳化硅功率半導(dǎo)體仍處于起步階段，從原材料制備、芯片設(shè)計與封裝開發(fā)到工藝生產(chǎn)仍然掌握在少數(shù)國外企業(yè)手中，因此紅旗品牌主導(dǎo)引領(lǐng)，以央企合作的模式，實現(xiàn)碳化硅技術(shù)“黑轉(zhuǎn)白”，達(dá)成了關(guān)鍵核心技術(shù)自主掌控。

▲碳化硅晶圓生產(chǎn)線

功率電子開發(fā)部深入貫徹落實習(xí)近平總書記視察一汽重要講話精神，圍繞新結(jié)構(gòu)、新工藝、新材料方面開展自主技術(shù)攻關(guān)，真正實現(xiàn)了芯片襯底與外延材料制備、芯片晶圓設(shè)計與生產(chǎn)、封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計、塑封工藝開發(fā)與模塊試制等關(guān)鍵環(huán)節(jié)全流程自主可控，技術(shù)水平國內(nèi)領(lǐng)先、國際先進(jìn)。

低損耗、高可靠功率芯片

應(yīng)用高密度高可靠元胞結(jié)構(gòu)、芯片電流增強(qiáng)技術(shù)、高可靠碳化硅柵氧制備工藝、精細(xì)結(jié)構(gòu)加工工藝等，碳化硅芯片比導(dǎo)通電阻達(dá)到3.15mΩ·cm2，導(dǎo)通電流達(dá)到120A，技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國際先進(jìn)水平。

低雜感、高性能功率模塊封裝

創(chuàng)新應(yīng)用行業(yè)領(lǐng)先的三端子母排疊層結(jié)構(gòu)、高可靠銅線互聯(lián)技術(shù)與高散熱橢圓PinFin散熱水道，配合大尺寸環(huán)氧樹脂轉(zhuǎn)模塑封與高耐溫銀燒結(jié)芯片貼裝工藝，實現(xiàn)模塊寄生電感≤6.5nH，模塊持續(xù)工作結(jié)溫175℃，輸出電流有效值達(dá)到550A。

▲功率模塊熱仿真示意圖

全國產(chǎn)塑封2in1碳化硅功率模塊A樣件的試制完成，是紅旗品牌在碳化硅領(lǐng)域引領(lǐng)行業(yè)的第一步，彰顯了中國一汽勇于肩負(fù)民族汽車產(chǎn)業(yè)發(fā)展的責(zé)任與擔(dān)當(dāng)。團(tuán)隊將繼續(xù)以實際行動踐行先鋒文化，發(fā)揚(yáng)創(chuàng)新精神，聚力自主攻堅關(guān)鍵核心技術(shù)，助力“All in”新能源戰(zhàn)略落地，為紅旗品牌躍遷式成長新能源落地貢獻(xiàn)研發(fā)力量。